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一种存储装置(100)具有：多个磁存储元件(30)；以及选择电路(8)，该选择电路(8)从该多个磁存储元件(30)中选择预期的磁存储元件(30)。该多个磁存储元件(30)包括：第一磁存储元件(30‑1)，具有根据环境值而改变的特性；以及第二...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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