电子阻挡材料、有机半导体元件及化合物制造技术

技术编号：40430941 阅读：28 留言：0更新日期：2024-02-20 22:53

下述通式的化合物用作电子阻挡材料。R1～R5表示氘原子、除了氰基以外的取代基；n1、n3、n5表示0～4；n2表示0～3；n4表示0～2；X表示O或S；Ar表示单环亚芳基或单环杂亚芳基。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种作为电子阻挡材料有用的化合物及使用了该化合物的有机半导体元件。

技术介绍

1、在积极地进行提高有机电致发光元件(有机el元件)等有机半导体元件的性能的研究。举例来说，为了改善有机电致发光元件的元件寿命和驱动电压，期望改善电子传输材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料等与电荷传输相关的材料的功能，因此还进行对这些材料的开发或改良。

2、举例来说，电子阻挡材料为如下材料：设置于发光层与空穴传输层之间以阻止存在于发光层中的电子从发光层脱落至空穴传输层，并且承担来自空穴传输层的空穴传输至发光层的功能的电子阻挡层的材料。只要使用优异的电子阻挡材料，则提高发光层中的电子和空穴的再键合机率，最终延长元件寿命。以往，作为电子阻挡材料提出有各种化合物，例如在专利文献1中，提出有具有下述结构的化合物。

3、[化学式1]

4、

5、以往技术文献

6、专利文献

7、专利文献1：wo2010/140482

技术实现思路

>1、专利技术要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子阻挡材料，其包含下述通式(1)所表示的化合物，

2.根据权利要求1所述的电子阻挡材料，其中，

3.根据权利要求1所述的电子阻挡材料，其中，

4.根据权利要求1所述的电子阻挡材料，其中，

5.根据权利要求2至4中任一项所述的电子阻挡材料，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子阻挡材料，其中，

7.根据权利要求1所述的电子阻挡材料，其具有下述中的任一个结构，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子阻挡材料，其用于与下述通式(G)所表示的化合物组合使用，

9.一种有机半导体元...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】