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本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构。该方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底表面上的外延层、位于外延层的远离衬底的部分表面上的掩膜部以及位于掩膜部两侧的外延层中的P‑源区；在基底的裸露表面上依次形成介质层和氧化层；去除部...
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