【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体地说是一种晶圆混合切割方法。
技术介绍
1、为配合晶圆键合以及后续的晶圆测试，在晶圆的部分特殊的切割道中会加入al、cu、w等金属材质，形成包含重金属层的结构，加入金属材质的切割道无法用刀片直接切割，必须先使用激光开槽。而如果整个晶圆的切割道全部采用激光切割会造成设备利用效率低，加工时间长，加工成本上升。
技术实现思路
1、本专利技术为克服现有技术的不足，提供一种晶圆混合切割方法。
2、为实现上述目的，设计一种晶圆混合切割方法，包括以下步骤：
3、s1：提供晶圆，晶圆正面有多条横向切割道和纵向切割道；
4、s2：在晶圆正面贴附研磨胶膜；
5、s3：对晶圆背面进行研磨，使晶圆减薄至所需的厚度；
6、s4：在晶圆背面贴附背面胶膜，固定在铁环上；
7、s5：将晶圆正面的研磨胶膜揭除；
8、s6：对含有重金属层的切割道用激光烧灼完成开槽；
9、s7：根据横向切割道和纵向切割道用刀片进行晶圆切割；
10、s8：在晶圆边缘处挑取芯片。
11、所述步骤s6激光灼烧前将激光保护液覆盖在晶圆表面。
12、所述步骤s7中的刀片为两把，安装在切割机主轴的两边。
13、所述刀片通过法兰盖固定安装在晶圆切割机上。
14、所述晶圆表面设有识别点，步骤s6中通过识别点定位对含有重金属层的切割道进行激光灼烧加工。
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1.一种晶圆混合切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述步骤S6激光灼烧前将激光保护液覆盖在晶圆（1）表面。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述步骤S7中的刀片为两把，安装在切割机主轴的两边。
4.根据权利要求4所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述刀片通过法兰盖固定安装在晶圆切割机上。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述晶圆（1）表面设有识别点，步骤S6中通过识别点定位对含有重金属层的切割道进行激光灼烧加工。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆混合切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述步骤s6激光灼烧前将激光保护液覆盖在晶圆（1）表面。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆混合切割方法，其特征在于：所述步骤s7中的刀片为两把，安装在切割机...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯晶瑶，邵滋人，陈恒熙，
申请(专利权)人：宏茂微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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