System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法技术_技高网

一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法技术

技术编号:40601172 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-12 22:05
本发明专利技术涉及半导体封装技术领域,具体地说是一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,通过精准获取已贴装的表面贴装元件的总体积和单层贴装芯片的总体积和叠层芯片的总体积以及焊线的总体积,得到塑封前基板表面凸起物总体积,从而计算出需要塑封材料固化后塑封的体积,再通过塑封材料的比重及其体积固化收缩率来换算获得每条基板实际所需撒风的体积重量,最终达到精确控制撒粉量的目标,保证塑封厚度公差达到设计要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,具体地说是一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法


技术介绍

1、目前3d nand存储芯片bga产品塑封使用浸入式塑封工艺,浸入式塑封工艺具体是将树脂粉撒到下模腔内,加热融化,然后将基板有元件和芯片的一面向下浸入到模腔里,模腔里所有熔融的塑封料都会与基板元件和芯片面合为一体,冷却凝固后完成塑封。整条基板上分布多个单元,有的单元没有贴元件和芯片等,也会被浸入到模具中一起塑封。树脂粉的量会影响固化后基板上塑封料的体积和厚度,因此树脂粉的量要通过基板上所有单元表面凸起物的体积决定,凸起物的体积越精确,撒粉量的计算越精准。

2、现有的浸入式塑封工艺的撒粉量控制是通过理论计算获得,而实际生产中凸起物的体积由于工艺和零部件的原因会存在误差,导致理论撒粉量与实际真实所需撒粉量存在偏差,无法达到精准控制目标,导致需要精准控制塑封厚度公差的封装产品的塑封厚度与设计值出现偏差,无法满足产品设计厚度规格标准。


技术实现思路

1、本专利技术为克服现有技术的不足,提供一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法。

2、为实现上述目的,设计一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于,包括以下步骤:

3、s1:将元器件贴装到基板上焊接后,扫描获取每个单元上所有元器件的体积v元器件;

4、s2:单层芯片贴装到基板上,扫描获取每个单元上所有单层芯片的体积v单层芯片;

5、s3:堆叠芯片贴装,贴装过程利用激光传感器扫描每个单元上单个堆叠芯片的长宽厚,计算出总体积v叠层芯片;

6、s4:焊线,计算焊线的体积v焊线;

7、s5:e-map及塑封前凸出体积整合;

8、s6:浸入式塑封机调取数据计算出所需撒粉量进行生产。

9、所述步骤s1和s2中元器件的体积和单层芯片的体积通过3d vision扫描获取。

10、所述步骤s2中的单层芯片包括正装芯片和倒装芯片,倒装芯片先进行底部填充再扫描体积。

11、所述步骤s3中单个堆叠芯片的长宽厚通过激光传感器扫描获取。

12、所述堆叠芯片为3d nand存储芯片。

13、所述步骤s3中扫描堆叠芯片的厚度时包括daf层。

14、所述步骤s4中焊线的体积v焊线根据使用的焊线的直径及长度计算。

15、所述步骤s5中塑封前凸出体积v2的计算方法为v2=v元器件+v单层芯片+v叠层芯片+v焊线。

16、所述步骤s6中的计算方法如下:

17、v1为所有单元的塑封区域的塑封后体积,

18、v3为固化后的塑封料的体积,

19、v2为塑封前表面塑封区凸出总体积,

20、v2=v元器件+v单层芯片+v叠层芯片+v焊线,

21、x为基板上的有效单元数,

22、v3 =v1-(v2×x),

23、再通过塑封材料的比重及体积固化收缩率可以算得所需撒粉的重量。

24、本专利技术同现有技术相比,通过精准获取已贴装的表面贴装元件的总体积和单层贴装芯片的总体积和叠层芯片的总体积以及焊线的总体积,得到塑封前基板表面凸起物总体积,从而计算出需要塑封材料固化后塑封的体积,再通过塑封材料的比重及其体积固化收缩率来换算获得每条基板实际所需撒风的体积重量,最终达到精确控制撒粉量的目标,保证塑封厚度公差达到设计要求。

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【技术保护点】

1.一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S1和S2中元器件的体积和单层芯片的体积通过3D Vision扫描获取。

3.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S2中的单层芯片包括正装芯片和倒装芯片,倒装芯片先进行底部填充再扫描体积。

4.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S3中单个堆叠芯片的长宽厚通过激光传感器扫描获取。

5.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述堆叠芯片为3D NAND存储芯片。

6.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S3中扫描堆叠芯片的厚度时包括DAF层。

7.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S4中焊线的体积V焊线根据使用的焊线的直径及长度计算。

8.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S5中塑封前凸出体积V2的计算方法为V2=V元器件+V单层芯片+V叠层芯片+V焊线。

9.根据权利要求8所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤S6中的计算方法如下:

...

【技术特征摘要】

1.一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤s1和s2中元器件的体积和单层芯片的体积通过3d vision扫描获取。

3.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤s2中的单层芯片包括正装芯片和倒装芯片,倒装芯片先进行底部填充再扫描体积。

4.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特征在于:所述步骤s3中单个堆叠芯片的长宽厚通过激光传感器扫描获取。

5.根据权利要求1所述的一种控制浸入式塑封工艺撒粉量的方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:李启力邵滋人徐刚
申请(专利权)人:宏茂微电子上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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