一种SiC双面散热功率模块制造技术

本发明专利技术涉及一种SiC双面散热功率模块，包括：第一DBC基板、第二DBC基板和若干个SiC MOSFET功率芯片；第一DBC基板与第二DBC基板沿第一方向相对设置，第一DBC基板和第二DBC基板之间通过若干个连接金属相互连接；若干个SiC MOSFET功率芯片分别设置于第一DBC基板和第二DBC基板之间，若干个SiC MOSFET功率芯片通过连接金属在第一DBC基板和第二DBC基板之间对应形成若干条换流路径；相邻的两个SiC MOSFET功率芯片组成一个半桥，位于同一个半桥中的两个SiC MOSFET功率芯片的换流路径的方向相反；相邻的两个半桥关于SiC双面散热功率模块的水平轴线或竖直轴线对称。本发明专利技术的功率模块不仅在高频开关性能方面表现出色，还具备卓越的热管理能力和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体功率器件封装，具体涉及一种sic双面散热功率模块。

技术介绍

1、在电动车、可再生能源技术和高效电力转换应用的发展推动下，对高效率、高功率密度的功率模块的需求日益增长。碳化硅(silicon carbon,sic)器件具有出色的电热性能，能够显著提升效率并降低能耗，使得电源转换装置更小、更轻且效率更高。因此，sic器件在电动汽车、可再生能源发电、电网输电系统及航空航天等新一代电能变换装置中的逆变器和变频器中有着广泛的应用。

2、然而，传统的sic功率模块存在着较大的寄生参数，如寄生电感，由于模块寄生参数难以匹配sic器件的高速开关特性，可能引发电压过冲、电流不均衡和损耗增加的问题，限制其在高频和高功率密度应用中的性能。此外，传统的封装技术中常使用dbc基板(direct bond copper，直接覆铜陶瓷基板)，其中的陶瓷层存在热导率低的问题，导致sic功率模块难以同时满足对高密度和高散热能力的需求。在高温运行环境下，模块的性能和可靠性会急剧下降，从而大幅降低系统的寿命。模块内部多芯片之间的热耦合效应也可能导致芯片温度分布本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC双面散热功率模块，其特征在于，包括：第一DBC基板(100)、第二DBC基板(200)和若干个SiC MOSFET功率芯片(300)；

2.根据权利要求1所述的SiC双面散热功率模块，其特征在于，所述第一DBC基板(100)包括：依次层叠设置的第一散热铜层(110)、第一陶瓷绝缘层(120)和第一导电铜层(130)；

3.根据权利要求2所述的SiC双面散热功率模块，其特征在于，所述SiC MOSFET功率芯片(300)的上表面设置栅极、功率源极和开尔文源极，与其上表面相对的下表面设置漏极。

4.根据权利要求3所述的SiC双面散热功率模块，...

【技术特征摘要】

1.一种sic双面散热功率模块，其特征在于，包括：第一dbc基板(100)、第二dbc基板(200)和若干个sic mosfet功率芯片(300)；

2.根据权利要求1所述的sic双面散热功率模块，其特征在于，所述第一dbc基板(100)包括：依次层叠设置的第一散热铜层(110)、第一陶瓷绝缘层(120)和第一导电铜层(130)；

3.根据权利要求2所述的sic双面散热功率模块，其特征在于，所述sic mosfet功率芯片(300)的上表面设置栅极、功率源极和开尔文源极，与其上表面相对的下表面设置漏极。

4.根据权利要求3所述的sic双面散热功率模块，其特征在于，所述sic双面散热功率模块上设置有功率模块端子(400)，所述功率模块端子(400)分别连接所述第一导电铜层(130)和所述第二导电铜层(230)。

5.根据权利要求4所述的sic双面散热功率模块，其特征在于，所述功率模块端子(400)包括：两个正极直流端子(410)、两个交流端子(420)、两个负极直流端子(430)、若干个栅极端子(440)和若干个开尔文源极端子(450)；

6.根据权利要求5所述的sic双面散热功率模块，其特征在于，所述第一导电铜层(130)包括：第一正极直流电...

【专利技术属性】
技术研发人员：江希，王颖，贾道勇，欧阳润泽，马年龙，袁嵩，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：