太阳能电池及其梯度温度沉积的扩散工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池及其梯度温度沉积的扩散工艺，涉及太阳能电池的技术领域，包括以下步骤：P型硅片在梯度升温的条件下先依次进行第一沉积、第二沉积以及第三沉积，然后进行推进制结，之后依次在790～810℃和760～780℃的温度下进行第四沉积和第五沉积，得到太阳能电池；其中，升温的梯度可以为8～12℃，第一沉积的温度不低于760℃。本发明专利技术解决了现有的PERC电池工艺存在的发射极掺杂浓度过高，导致表面复合增加，造成开路电压和短路电流降低的技术问题，达到了有效控制电池表面的掺杂浓度，降低光照区域的复合，以及增加SE重掺杂区域浓度而增加金属栅线和半导体部分的欧姆接触的技术效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池的，尤其是涉及一种太阳能电池及其梯度温度沉积的扩散工艺。

技术介绍

1、目前，晶硅太阳电池占据着光伏能源主要市场，其中的perc电池技术已经受到越来越多的关注，且成长空间在不断增加。

2、perc电池(passivated emitter and rear cell)技术叠加选择性发射极技术已经成为行业研究的重点。然而，就目前来讲，选择性发射极电池仍存在许多限制，低扩散表面浓度的电池虽然能够降低发射极区的表面复合，增加少子寿命，但是对金属栅线和半导体接触部分，则会降低欧姆接触和增加串联电阻，最终会降低填充因子和效率；而过高扩散表面浓度的电池虽然能够使得金属栅线和半导体接触部分的欧姆接触增强，但是由于非se区域表面浓度比较高，表面复合增加，导致开路电压减小，导致光照区的无效吸收增加，短路电流也相应减小，最终会导致电池效率下降。

3、有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的之一在于提供一种太阳能电池的梯度温度沉积的扩散工艺，能够有效控制电池表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池的梯度温度沉积的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述硅片包括制绒后的硅片；

3.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述第一沉积的POCl3气体流量为400～780sccm，氧气流量为700～1200sccm，氮气流量为400～700sccm；

4.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述第二沉积的POCl3气体流量为400～750sccm，氧气流量为700～1200sccm，氮气流量为400～700sccm；

5.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池的梯度温度沉积的扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述硅片包括制绒后的硅片；

3.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述第一沉积的pocl3气体流量为400～780sccm，氧气流量为700～1200sccm，氮气流量为400～700sccm；

4.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述第二沉积的pocl3气体流量为400～750sccm，氧气流量为700～1200sccm，氮气流量为400～700sccm；

5.根据权利要求1所述的扩散工艺，其特征在于，所述第三沉积的pocl3气体流量为400～720sccm，氧气流量为700～1200sccm，氮气流量为400～70...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑献波，高强，肖建军，
申请(专利权)人：衢州季丰检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：