System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种新型TO封装结构制造技术_技高网

一种新型TO封装结构制造技术

技术编号:40540475 阅读:5 留言:0更新日期:2024-03-05 18:56
本发明专利技术涉及新型TO封装技术领域,且公开了一种新型TO封装结构,包括保护壳体,保护壳体上侧通过螺纹安装有保护盖体,保护盖体的顶部中间嵌套有光学件,保护壳体内部安装有TO底座,TO底座上侧安装有薄膜型热电致冷器、硅热沉块、半导体激光器、热敏电阻和背光探测器,薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的上表面,硅热沉块作为半导体激光器、热敏电阻和背光探测器的载体,直接贴装于薄膜型热电制冷器的上表面,从而将热量散发到器件外部;硅热沉块上有一个特定角度(45±10度)的高反射率斜面,从半导体激光器发出的水平光在遇到此反射面后会改变传播方向,从水平于TO底座传播改变为垂直于TO底座传播,从而实现光路的转置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型to封装,具体为一种新型to封装结构。


技术介绍

1、to封装包含两个元件,管座和管帽;在光电子领域中管帽实现了两大基本功能,首先,它们对传输和接收应用领域中的光学元件提供了持久可靠的保护,其次,作为光学接口,它们还确保了光学信号的顺利传输,因此,安装在管帽中的窗口或透镜的光学性质必须达到相当高的要求。

2、光模块由光电子器件、功能电路和光接口等组成,光电子器件包括光发射端和光接收端两部分,光发送端使用光发射器把电信号转换为光信号,光接收端使用光接收器把光信号转换为电信号,目前,光发射器和光接收器通常使用的封装工艺主要有同轴封装(transistor outline-can,to封装)、cob封装(chip on board封装),蝶形封装和box封装等封装方式,随着小型化和高集成化的应用需求,在cob封装的基础上,coc封装(chiponchip封装)也逐渐兴起,目前传输距离在40~80km的soa(semiconductoropticalamplifier,半导体光放大器)集成pin器件,通常为box封装形式,这种形式的器件封装工艺复杂,成本较高,而to封装,成本低廉,工艺简单,通常为圆柱形,但又因为其体积小,难以内置制冷功能,散热困难,传统to封装结构发光不稳定,难以用于大电流下的高功率输出,故而难以用于长距离传输。

3、to是一种封装结构,其中包含一些要从不同层或远程调用中传输的数据,因此to充当数据传输的容器。to具有以下特征:数据与业务逻辑分离:to的作用是传输数据,因此它们通常不包含业务逻辑,这使得应用程序更加清晰和易于维护。跨层传输:为了减少耦合性,应该避免在不同的层之间直接传输领域对象。to提供了一种中间层,以便数据的传输更加规范化。存储数据:to可以被序列化并存储到文件或数据库中以便重用增加可扩展性:to可以随着需求的变化而发生变化,而不会破坏整个系统。

4、在to封装中,对于不同波长的芯片,芯片与透镜的间距都是不同的,所以不同波长的芯片适用的管帽尺寸也是不同的,即没有一种通用的管帽,这就造成不同尺寸的管帽需要重新开模,生产成本相对较高;因此,不满足现有的需求,对此我们提出了一种新型to封装结构。


技术实现思路

1、本专利技术提供了一种新型to封装结构,具备可以方便拆除管帽的有益效果,解决了上述
技术介绍
中所提到在to封装中,对于不同波长的芯片,芯片与透镜的间距都是不同的,所以不同波长的芯片适用的管帽尺寸也是不同的,即没有一种通用的管帽,这就造成不同尺寸的管帽需要重新开模,生产成本相对较高的问题。

2、本专利技术提供如下技术方案:一种新型to封装结构,包括保护壳体,所述保护壳体上侧通过螺纹安装有保护盖体,所述保护盖体的顶部中间嵌套有光学件,所述保护壳体内部安装有to底座,所述to底座上侧安装有薄膜型热电致冷器、硅热沉块、半导体激光器、热敏电阻和背光探测器,所述薄膜型热电致冷器直接水平贴装于所述to底座的上表面,所述硅热沉块作为所述半导体激光器、热敏电阻和背光探测器的载体,直接贴装于所述薄膜型热电致冷器的上表面。

3、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述薄膜型热电致冷器采用薄膜复合材料,所述薄膜型热电致冷器通过bisn焊料经真空烧结后固定在to底座的上表面,所述硅热沉块通过bisn焊料经真空烧结后固定在所述薄膜型热电致冷器的上表面。

4、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述硅热沉块上有一个角度为度±度的高反射率斜面,从所述半导体激光器发出的水平光在遇到此高反射率斜面后会改变传播方向,从水平于所述to底座的传播改变为垂直于所述to底座的传播,从而实现光路的转置。

5、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述半导体激光器是通过ausn焊料固定在所述硅热沉块上的,所述热敏电阻和所述背光探测器是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块上表面,所述热敏电阻和所述背光探测器是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块上的。

6、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述保护盖体的内壁设有安装螺纹段,所述保护壳体的外壁设有与安装螺纹段相连接的对接螺纹段;所述保护盖体在保护壳体上旋拧至预定位置后固定在保护壳体上侧。

7、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述光学件为透镜,所述to底座与所述保护壳体密封焊接固定。

8、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述to底座底侧安装有引脚线,所述引脚线设置有若干个,所述薄膜型热电致冷器、所述硅热沉块、所述半导体激光器、所述热敏电阻和所述背光探测器固定在所述to底座上且与对应的所述引脚线电性连接,所述to底座与所述保护盖体合后密封固定。

9、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述保护壳体内壁开设有固定卡槽,所述固定卡槽设置有两个,两个所述固定卡槽对称设置,所述保护盖体内部设置有对接卡槽,所述对接卡槽内部设置有卡合组件,所述对接卡槽与所述固定卡槽对应设置。

10、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述卡合组件包括推动弹簧、限位杆、推动块,所述限位杆安装在所述对接卡槽内部,所述推动弹簧套设在所述限位杆表面,所述推动块安装在所述限位杆前侧,所述推动弹簧的一端与所述推动块固定连接,所述推动弹簧的另一端与所述对接卡槽的内壁固定连接。

11、作为本专利技术所述的一种新型to封装结构可选方案,其中:所述推动块设置一侧设置为斜面,所述推动块内部开设有圆形槽,所述圆形槽与所述限位杆插滑配合。

12、本专利技术具备以下有益效果:

13、1、该新型to封装结构,硅热沉块上有一个特定角度(45度±10度)的高反射率斜面,从半导体激光器发出的水平光在遇到此高反射率斜面后会改变传播方向,从水平于to底座的传播改变为垂直于to底座的传播,从而实现光路的转置;半导体激光器工作过程中产生的热量可以通过具有良好导热特性的硅热沉块传到薄膜型热电致冷器的下表面(热面),然后热量就可以通过薄膜型热电制冷器抽送到to底座上,从而将热量散发到器件外部。硅热沉块上有一个特定角度(45±10度)的高反射率斜面,从半导体激光器发出的水平光在遇到此反射面后会改变传播方向,从水平于to底座传播改变为垂直于to底座传播,从而实现光路的转置。

14、2、该新型to封装结构,保护盖体连接的顶部中间嵌套有透镜,芯片固定在to底座上,保护壳体与to底座密封焊接固定,通过旋拧保护壳体实现保护盖体在保护壳体轴向移动一定距离,从而调整芯片与透镜的间距;而且对不同波长的半导体激光器芯片,同一款保护壳体与保护盖体均可实现透镜与半导体激光器芯片的间距调整,进而提升了保护壳体与保护盖体的通用性,降低成本,提高组装效率。

15、3、该新型to封装结构,在使用时通过保护盖体与保护壳体螺纹连接后,从而对接卡槽与固定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型TO封装结构,包括保护壳体(110),其特征在于:所述保护壳体(110)上侧通过螺纹安装有保护盖体(120),所述保护盖体(120)的顶部中间嵌套有光学件(130),所述保护壳体(110)内部安装有TO底座(140),所述TO底座(140)上侧安装有薄膜型热电致冷器(141)、硅热沉块(142)、半导体激光器(143)、热敏电阻(144)和背光探测器(145),所述薄膜型热电致冷器(141)直接水平贴装于所述TO底座(140)的上表面,所述硅热沉块(142)作为所述半导体激光器(143)、热敏电阻(144)和背光探测器(145)的载体,直接贴装于所述薄膜型热电致冷器(141)的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述薄膜型热电致冷器(141)采用薄膜复合材料,所述薄膜型热电致冷器(141)通过BiSn焊料经真空烧结后固定在TO底座(140)的上表面,所述硅热沉块(142)通过BiSn焊料经真空烧结后固定在所述薄膜型热电致冷器(141)的上表面。

3.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述硅热沉块(142)上有一个角度为45度±10度的高反射率斜面,从所述半导体激光器(143)发出的水平光在遇到此高反射率斜面后会改变传播方向,从水平于所述TO底座(140)的传播改变为垂直于所述TO底座(140)的传播,从而实现光路的转置。

4.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述半导体激光器(143)是通过AuSn焊料固定在所述硅热沉块(142)上的,所述热敏电阻(144)和所述背光探测器(145)是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块(142)上表面,所述热敏电阻(144)和所述背光探测器(145)是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块(142)上的。

5.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述保护盖体(120)的内壁设有安装螺纹段(150),所述保护壳体(110)的外壁设有与安装螺纹段(150)相连接的对接螺纹段(151);所述保护盖体(120)在保护壳体(110)上旋拧至预定位置后固定在保护壳体(110)上侧。

6.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述光学件(130)为透镜,所述TO底座(140)与所述保护壳体(110)密封焊接固定。

7.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述TO底座(140)底侧安装有引脚线(152),所述引脚线(152)设置有若干个,所述薄膜型热电致冷器(141)、所述硅热沉块(142)、所述半导体激光器(143)、所述热敏电阻(144)和所述背光探测器(145)固定在所述TO底座(140)上且与对应的所述引脚线(152)电性连接,所述TO底座(140)与所述保护盖体(120)合后密封固定。

8.根据权利要求1所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述保护壳体(110)内壁开设有固定卡槽(160),所述固定卡槽(160)设置有两个,两个所述固定卡槽(160)对称设置,所述保护盖体(120)内部设置有对接卡槽(170),所述对接卡槽(170)内部设置有卡合组件(180),所述对接卡槽(170)与所述固定卡槽(160)对应设置。

9.根据权利要求8所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述卡合组件(180)包括推动弹簧(181)、限位杆(182)、推动块(183),所述限位杆(182)安装在所述对接卡槽(170)内部,所述推动弹簧(181)套设在所述限位杆(182)表面,所述推动块(183)安装在所述限位杆(182)前侧,所述推动弹簧(181)的一端与所述推动块(183)固定连接,所述推动弹簧(181)的另一端与所述对接卡槽(170)的内壁固定连接。

10.根据权利要求9所述的一种新型TO封装结构,其特征在于:所述推动块(183)设置一侧设置为斜面,所述推动块(183)内部开设有圆形槽(190),所述圆形槽(190)与所述限位杆(182)插滑配合。

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【技术特征摘要】

1.一种新型to封装结构,包括保护壳体(110),其特征在于:所述保护壳体(110)上侧通过螺纹安装有保护盖体(120),所述保护盖体(120)的顶部中间嵌套有光学件(130),所述保护壳体(110)内部安装有to底座(140),所述to底座(140)上侧安装有薄膜型热电致冷器(141)、硅热沉块(142)、半导体激光器(143)、热敏电阻(144)和背光探测器(145),所述薄膜型热电致冷器(141)直接水平贴装于所述to底座(140)的上表面,所述硅热沉块(142)作为所述半导体激光器(143)、热敏电阻(144)和背光探测器(145)的载体,直接贴装于所述薄膜型热电致冷器(141)的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种新型to封装结构,其特征在于:所述薄膜型热电致冷器(141)采用薄膜复合材料,所述薄膜型热电致冷器(141)通过bisn焊料经真空烧结后固定在to底座(140)的上表面,所述硅热沉块(142)通过bisn焊料经真空烧结后固定在所述薄膜型热电致冷器(141)的上表面。

3.根据权利要求1所述的一种新型to封装结构,其特征在于:所述硅热沉块(142)上有一个角度为45度±10度的高反射率斜面,从所述半导体激光器(143)发出的水平光在遇到此高反射率斜面后会改变传播方向,从水平于所述to底座(140)的传播改变为垂直于所述to底座(140)的传播,从而实现光路的转置。

4.根据权利要求1所述的一种新型to封装结构,其特征在于:所述半导体激光器(143)是通过ausn焊料固定在所述硅热沉块(142)上的,所述热敏电阻(144)和所述背光探测器(145)是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块(142)上表面,所述热敏电阻(144)和所述背光探测器(145)是通过导电胶经高温烘烤固化后固定在所述硅热沉块(142)上的。

5.根据权利要求1所述的一种新型to封装结构,其特征在于:所述保护盖体(120)的内壁设有安装螺纹段(150),所述保护壳体(110...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊宇
申请(专利权)人:江苏鼎茂半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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