【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频微系统封装，特别涉及一种多芯片封装的宽带射频收发模组。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，集成电路封装也由传统的二维封装向三维系统级封装发展，三维系统级封装采用芯片叠层技术,将模拟、数字、微波、微机电系统、光电等不同工艺的芯片集成在一个封装中,并采用硅通孔技术在垂直方向为叠层芯片完成信号连通。这种通过tsv技术与芯片叠层技术的集成封装大大减小了系统的体积，但也提升了系统单位体积内的功率密度，系统的散热性能面临巨大的挑战。
2、目前射频收发微系统在小型化方面开展了深入研究，采用芯片叠层技术实现了射频微系统的三维封装。当射频收发微系统工作在发射状态时，功率放大器会产生较高的耗散功率，如果热量不能及时散去，会降低系统的可靠性，甚至造成芯片的烧毁。由于射频收发微系统的功率密度峰值主要集中在功率放大器附近，因此，如何通过优化芯片布局，改善系统的热分布便可以提高系统的热可靠性，成为目前亟需解决的问题。
技术实现思路
1、本申请提供了一种多芯片封装的宽带射频收发模组，可用于解决目前射频微系统散热效果差的技术问题。
2、本申请提供一种多芯片封装的宽带射频收发模组，宽带射频收发模组从上往下，包括：
3、焊球，低功率射频单元层，层间连接单元，高功率射频单元层；
4、其中，低功率射频单元层内部设置低功率射频芯片；
5、高功率射频单元层内部设置有高功率射频芯片；
6、其中，低功率射频单元层的层数为n；层间连接单元的层数
7、进一步地，所述低功率射频单元层外表面设置有信号接口；所述高功率射频单元层外表面的接口包括有射频接口和无射频接口两种模式。
8、进一步地，当高功率射频单元层外表面无射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组通过焊球与前端馈电单元层完成射频信号、控制信号和电源信号的转接；
9、焊球为球栅阵列bga；前端馈电单元层与天线单元层形成信号连接；所述多芯片封装宽带射频收发模组的高功率射频单元层外表面与冷板单元层充分贴合。
10、进一步地，当高功率射频单元层外表面有射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组的高功率射频单元层侧接口通过连接器与天线单元层形成射频信号连接，另一侧接口通过焊球与前端馈电单元层完成射频信号、控制信号和电源信号的转接，焊球为球栅阵列bga；
11、所述多芯片封装宽带射频收发模组的高功率射频单元层外表面与冷板单元层充分贴合。
12、进一步地，低功率射频芯片位于低功率射频单元层内部；
13、低功率射频芯片包括限幅器芯片、低噪声放大器芯片、滤波器芯片、电源芯片、波控芯片、移相器芯片、延时器芯片、衰减器芯片、开关芯片、数字功能芯片、多种射频芯片集成的多功能芯片和电容、电感、电阻在内的无源芯片。
14、进一步地，高功率射频芯片位于高功率射频单元层内部，高功率射频芯片包括gan功率放大器芯片、gan功率放大器和gan开关集成芯片。
15、进一步地，高功率射频单元层与低功率射频单元层通过层间连接单元完成射频信号、控制信号和电源信号的连接，层间连接单元包括球栅阵列bga和硅转接板。
16、本申请提出了一种多芯片封装宽带射频收发模组架构，在发射与接收时射频信号时传输损耗低，还使收发模组内部功率放大器芯片距离系统冷板单元的热传导距离最短，提升了收发模组导热效率。本专利技术相较于现有技术，提高了多芯片封装宽带射频收发模组的射频传输性能，同时改善了多芯片封装宽带射频收发模组热稳定性。
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1.一种多芯片封装的宽带射频收发模组，其特征在于，所述宽带射频收发模组从上往下，包括：
2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，所述低功率射频单元层(104)外表面设置有信号接口；所述高功率射频单元层(107)外表面的接口包括射频接口和无射频接口两种模式。
3.根据权利要求2所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，当高功率射频单元层(107)外表面无射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组(110)通过焊球(103)与前端馈电单元层(102)完成射频信号、控制信号和电源信号的转接；
4.根据权利要求2所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，当高功率射频单元层(107)外表面有射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组(110)的高功率射频单元层(107)侧接口通过连接器与天线单元层(101)形成射频信号连接，另一侧接口通过焊球(103)与前端馈电单元层(102)完成射频信号、控制信号和电源信号的转接，焊球(103)为球栅阵列BGA；
5.根据权利要求1所述的一种多芯片封装宽带射频收发
6.根据权利要求1所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，高功率射频芯片(108)位于高功率射频单元层(107)内部，高功率射频芯片(108)包括GaN功率放大器芯片、GaN功率放大器和GaN开关集成芯片。
7.根据权利要求1所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，高功率射频单元层(107)与低功率射频单元层(104)通过层间连接单元(106)完成射频信号、控制信号和电源信号的连接，层间连接单元(106)包括球栅阵列BGA和硅转接板。
...【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装的宽带射频收发模组，其特征在于，所述宽带射频收发模组从上往下，包括：
2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，所述低功率射频单元层(104)外表面设置有信号接口；所述高功率射频单元层(107)外表面的接口包括射频接口和无射频接口两种模式。
3.根据权利要求2所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，当高功率射频单元层(107)外表面无射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组(110)通过焊球(103)与前端馈电单元层(102)完成射频信号、控制信号和电源信号的转接；
4.根据权利要求2所述的一种多芯片封装宽带射频收发模组，其特征在于，当高功率射频单元层(107)外表面有射频接口工作时，多芯片封装宽带射频收发模组(110)的高功率射频单元层(107)侧接口通过连接器与天线单元层(...
【专利技术属性】
技术研发人员：费新星，王勇，韦炜，邢君，孙彪，王湛，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七二三研究所，
类型：发明
国别省市：
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