像素结构及其制作方法技术

一种像素结构包括基板、栅极线、栅极、绝缘层、半导体层、数据线、源极、漏极、平坦层以及像素电极。栅极线以及栅极设置于基板上，绝缘层覆盖于基板之上，半导体层设置于绝缘层上，数据线、源极以及漏极设置于绝缘层与半导体层上，平坦层设置于数据线、源极与漏极之上，像素电极设置于平坦层上，平坦层具有暴露出漏极的接触洞，且像素电极透过接触洞与漏极电性连接。像素电极包括不透明主干电极设置于该平坦层上以及多条透明分支电极，各透明分支电极的一端与不透明主干电极电性连接。本发明专利技术还提供一种制作像素结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤指一种利用不透明导电材料作为像素 电极的主干电极的。
技术介绍
随着大尺寸液晶显示面板的快速发展，液晶显示面板必须具备广视角特性，方能 满足使用上的需求，其中多区域垂直配向(multi-domain vertical alignment, MVA)液晶 显示面板因具有广视角与短应答时间(response time)等特性，因而成为目前大尺寸平面 显示面板的主流产品。已知的多区域垂直配向液晶显示面板通过凸块结构来使不同区域的液晶分子的 预倾方向不同，由此发挥广视角的作用，然而凸块结构的制作增加了工艺的复杂度，且凸块 结构会遮蔽部分光线，因此造成开口率(aperture ratio)下降，进而降低了液晶显示面板 的亮度表现。因此，业界另研发出一种高分子聚合配向(polymer stabilized alignment,PSA) 技术，其利用高分子聚合物来取代多区域垂直配向液晶显示面板中的凸块结构，达到使不 同区域的液晶分子具有不同预倾方向的作用，并由此发挥广视角的效果。在使用高分子聚合配向技术的液晶显示面板中，由透明导电材料构成的像素电极 具有沿垂直方向设置的主干电极，以及多条沿不同方向延伸的分支电极，由此达到使不同 区域的液晶分子具有不同预倾方向的作用。此外，使用高分子聚合配向技术的液晶显示面 板在搭配使用线型偏光板时，可达到高对比的规格，而符合市场的需求。然而，在搭配使用 线型偏光板的状况下，仅有对应于像素电极的分支电极的液晶分子会贡献亮度，而对应于 像素电极的主干电极的液晶分子并无法贡献亮度，因此造成了开口率下降的问题。此外，由 于透明导电材料(例如氧化铟锡)的线宽极限约为4-5微米，所以在使用高分子聚合配向 技术的液晶显示面板应用于高解析度的显示装置时，上述问题更成为开口率无法进一步提 升的主要原因。
技术实现思路
本专利技术的主要目的之一在于提供，以提升像素结构的开口率。本专利技术的优选实施例提供一种像素结构，其包括基板、栅极线、栅极、绝缘层、半导 体层、数据线、源极、漏极、平坦层以及像素电极。栅极线以及栅极设置于基板上，绝缘层覆 盖于基板之上，半导体层设置于绝缘层上，数据线、源极以及漏极设置于绝缘层与半导体层 上，平坦层设置于数据线、源极与漏极之上，像素电极设置于平坦层上，其中栅极、半导体 层、源极与漏极形成薄膜晶体管，平坦层具有暴露出漏极的接触洞，且像素电极透过接触洞 与漏极电性连接。此外，像素电极包括不透明主干电极设置于该平坦层上以及多条透明分 支电极，其中不透明主干电极包括第一不透明主干电极沿第一轴向设置，各透明分支电极的一端与第一不透明主干电极电性连接。本专利技术的另一优选实施例提供一种制作像素结构的方法，包括下列步骤。提供基 板，并形成第一不透明导电图案层于基板上。接着形成绝缘层于基板上以覆盖第一不透明 导电图案层，以及形成半导体层于绝缘层上。之后，形成第二不透明导电图案层于绝缘层以 及半导体层上，以及形成平坦层于第二不透明导电图案层上。接着，形成第三不透明导电图 案层于平坦层之上，以及形成透明导电图案层于平坦层之上。第一不透明导电图案层包括 栅极线以及栅极。第二不透明导电图案层包括源极与漏极，其中栅极、半导体层、源极与漏 极形成薄膜晶体管。平坦层具有接触洞，暴露出漏极。透明导电图案层包括多条透明分支 电极，各透明分支电极的一端与第三不透明导电图案层电性连接，以形成像素电极，且像素 电极透过接触洞与漏极电性连接。本专利技术的像素结构利用不透明导电材料制作像素电极的主干电极，因此可缩减主 干电极的线宽，进而提升像素结构的开口率。附图说明 10基板12栅极线14栅极16共通线18绝缘层20半导体层22数据线221第—-数据线段222第二数据线段24源极26漏极28平坦层28H接触洞30第三不透明导电图案层301第一不透明主干电极302第二-不透明主干电极32透明导电图案层321第—-透明分支电极322第二透明分支电极323第三透明分支电极324第四透明分支电极325第—-透明主干电极326第二透明主干电极34储存电容线D1 第一方向D3 第三方向S1 第一轴向D2 第二方向 D4 第四方向 S2 第二轴向具体实施例方式为使熟习本专利技术所属
的一般技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列 举本专利技术的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。请参考图1与图2。图1绘示了本专利技术的第一优选实施例的像素结构的俯视示意 图，图2为沿图1的剖面线A-A’与B-B’所绘示的像素结构的剖面示意图。如图1与图2 所示，本实施例的制作像素结构的方法包括下列步骤。首先，提供基板10。接着于基板10 上形成第一不透明导电图案层，其中第一不透明导电图案层可为单层或复合层的金属图案 层，例如钼/铝/钼层，但不以此为限。第一不透明导电图案层包括栅极线12与栅极14，并 可选择性地包括共通线16，其中栅极线12位于像素结构的一侧、栅极14与栅极线12连接 并向像素结构的内部延伸，而共通线16大体上与栅极线12平行设置并贯穿像素结构。随 后，在基板10上形成覆盖第一不透明导电图案层的绝缘层18(图1未示)。绝缘层18可作 为栅极绝缘层，其材料可为各式介电材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等，但不以此为 限。之后，在绝缘层18上形成半导体层20，例如非晶硅层，其中半导体层20大体上对应栅 极14。随后，在绝缘层18以及半导体层20上形成第二不透明导电图案层，其中第二不透 明导电图案层可为单层或复合层的金属图案层，例如钼/铝/钼层，但不以此为限。第二不 透明导电图案层包括数据线22、源极24与漏极26。数据线22位于像素结构的一侧并大体 上与栅极线12垂直设置，且数据线22与源极24电性连接。源极24与漏极26大体上对应 于栅极14的两相对侧，且栅极14、半导体层20、源极24与漏极26形成薄膜晶体管。接着， 在第二不透明导电图案层上形成平坦层(保护层)28 (图1未示)，其中平坦层28具有至少 一接触洞28H，部分暴露出漏极26。平坦层28可为由无机材料或有机材料所构成的单一结 构层或复合结构层。接着，在平坦层28上形成第三不透明导电图案层30，以及透明导电图案层32，其 中第三不透明导电图案层30可为单层或复合层的金属图案层，例如钼/铝/钼层，而透明 导电图案层32则可为例如金属氧化物图案层，如氧化铟锡层或氧化铟锌层，但不以此为 限。在本实施例中，第三不透明导电图案层30先形成于平坦层28上，而接着透明导电图案 层32再形成于第三不透明导电图案层30与平坦层28上，且透明导电图案层32与第三不 透明导电图案层30部分接触而彼此电性连接。在本实施例中，第三不透明导电图案层30可包括不透明主干电极，且不透明主干 电极包括第一不透明主干电极301沿第一轴向S1 (例如图1所示的垂直方向)设置于平坦 层28上，亦即第一不透明主干电极301沿像素结构的长轴方向贯穿，且第一不透明主干电 极301透过接触洞28H与漏极26电性连接。透明导电图案层32可包括多条透明分支电极 于平坦层28之上，其中各透明分支电极的一端与第三不透明导电图案层30接触而形成电 性连接，以形成像素电极。此外，共通线16本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：基板；栅极线以及栅极，设置于该基板上；绝缘层，覆盖于该基板之上；半导体层，设置于该绝缘层上；数据线、源极以及漏极，设置于该绝缘层与该半导体层上，其中该栅极、该半导体层、该源极与该漏极形成薄膜晶体管；平坦层，设置于该数据线、该源极与该漏极之上，其中该平坦层具有接触洞，暴露出该漏极；以及像素电极，设置于该平坦层上，且该像素电极透过该接触洞与该漏极电性连接，其中该像素电极包括：不透明主干电极，设置于该平坦层上，其中该不透明主干电极包括第一不透明主干电极沿第一轴向设置；以及多条透明分支电极，其中各该透明分支电极的一端与该第一不透明主干电极电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩鸿，郑景升，石志鸿，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]