【技术实现步骤摘要】
本新型的实施例涉及一种封装结构与封装。
技术介绍
1、在现代半导体装置及系统中，组件的整合及小型化以越来越快的速度发展。在无线应用中，整合过程中遇到的越来越大的挑战之一是射频(radio frequency，rf)装置或天线的设置。由于以减小大小作为竞争目标，因此与集成电路相关联的传统天线通常被设计成具有有限的效能及能力。因此，需要一种改进的积体天线结构。
技术实现思路
1、本新型的一些实施例提供一种封装结构，其特征在于，包括：第一晶粒；绝缘材料，围绕所述第一晶粒；第一天线，延伸穿过所述绝缘材料，其中所述第一天线包括：第一导电板，延伸穿过所述绝缘材料；以及多个第一导电柱，延伸穿过所述绝缘材料，其中所述第一导电板设置于所述多个第一导电柱与所述第一晶粒之间；以及第一高介电常数区块，嵌置于所述绝缘材料中，其中所述第一高介电常数区块设置于所述第一导电板与所述多个第一导电柱之间，且其中所述第一高介电常数区块包含具有与所述绝缘材料的介电常数不同的介电常数的材料。
2、此外，本新型的其他实施例提供一种封装，其特征在于，包括：第一聚合物层；绝缘材料，位于所述第一聚合物层之上；晶粒，嵌置于所述绝缘材料中；第一天线，包括：第一部分，穿过所述绝缘材料延伸至第一馈线，所述第一馈线电性连接所述晶粒与所述第一天线的所述第一部分；以及第二部分，延伸穿过所述绝缘材料，所述第一天线的所述第二部分包括多个导电柱，其中所述第一天线在所述第一部分的第一侧壁与所述第二部分的面对所述第一部分的所述第一侧壁的第二侧
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一高介电常数区块的所述材料的所述介电常数高于所述绝缘材料的所述介电常数。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘材料将所述多个第一导电柱中的邻近的导电柱分隔开。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电板的主表面及所述多个第一导电柱中的每一第一导电柱的主表面设置于与所述第一晶粒的第一侧壁平行的平面中。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一天线邻近于所述第一晶粒的第一侧壁，且所述第二天线邻近于所述第一晶粒的第二侧壁。
7.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一高介电常数区块的所述材料的所述介电常数高于所述绝缘材料的所述介电常数，且其中所述第二高介电常数区块的材料的介电常数高于所述第一高介电常数区块的所述材料的所述介电常数。
8.一种封装，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的
10.根据权利要求8所述的封装，其特征在于，更包括：
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一高介电常数区块的所述材料的所述介电常数高于所述绝缘材料的所述介电常数。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘材料将所述多个第一导电柱中的邻近的导电柱分隔开。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一导电板的主表面及所述多个第一导电柱中的每一第一导电柱的主表面设置于与所述第一晶粒的第一侧壁平行的平面中。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：廖文翔，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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