【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、以往，已知有将与p型的阱区分离的p型的浮置区设置于栅极沟槽的底部的结构(例如参照专利文献1)。
2、专利文献1：日本特开2019-91892号公报
技术实现思路
1、技术问题
2、优选半导体装置的耐压或耐量不降低。
3、技术方案
4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，并且包括第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备第二导电型的基区，所述第二导电型的基区设置在漂移区与半导体基板的上表面之间。半导体装置可以具备多个沟槽部，所述多个沟槽部包括栅极沟槽部和虚设沟槽部，且从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置。半导体装置可以具备第二导电型的第一下端区，所述第二导电型的第一下端区与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置。半导体装置可以具备第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。半导体装置可以具备第二导电型的第二下端区，所述第二导电型的第二下端区在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。
5、一个第二下端区所相接的沟槽部的个数可以比一个第一下端区所相接的沟槽部的个数少。
7、一个第一下端区可以与多个栅极沟槽部的下端和多个虚设沟槽部的下端相接。
8、一个第二下端区可以与一个栅极沟槽部的下端相接，并且可以不与配置在该栅极沟槽部的旁边的沟槽部的下端相接。
9、一个第二下端区可以与一个栅极沟槽部的下端相接，并且可以与配置在该栅极沟槽部的旁边的虚设沟槽部的下端相接。
10、栅极沟槽部的下端处的第二下端区的掺杂浓度可以大于栅极沟槽部的下端处的第一下端区的掺杂浓度。
11、栅极沟槽部的下端处的第二下端区的掺杂浓度可以大于栅极沟槽部的下端处的第一下端区的掺杂浓度。虚设沟槽部的下端处的第二下端区的掺杂浓度可以小于栅极沟槽部的下端处的第一下端区的掺杂浓度。
12、一个第二下端区的各沟槽部的下端处的掺杂浓度的平均值可以小于一个第一下端区的各沟槽部的下端处的掺杂浓度的平均值。
13、半导体装置可以具备与虚设沟槽部的下端相接地设置的第二导电型的第三下端区。第三下端区所相接的虚设沟槽部可以配置在第二下端区所相接的栅极沟槽部的旁边。第三下端区可以与第一下端区、第二下端区以及阱区都分离。
14、虚设沟槽部的下端处的第三下端区的掺杂浓度可以小于栅极沟槽部的下端处的第二下端区的掺杂浓度。
15、多个第二下端区可以沿着栅极沟槽部的长边方向彼此分离地配置。
16、半导体装置可以具备第一导电型的发射区，所述第一导电型的发射区在半导体基板的上表面露出，并与栅极沟槽部相接地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高。半导体装置可以具备第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区在半导体基板的上表面露出，并沿着栅极沟槽部的长边方向与发射区交替地配置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。第二下端区可以在俯视下与发射区重叠地配置。
17、彼此分离的第二下端区可以针对两个以上的栅极沟槽部的每一个而设置。
18、设置在第一下端区与阱区之间的多个栅极沟槽部中的至少一个栅极沟槽部的下端可以与第一导电型的区域相接。
19、最靠近第一下端区的栅极沟槽部的下端可以与第一导电型的区域相接。
20、第二下端区可以与不将虚设沟槽部夹在中间而相邻地配置的两个栅极沟槽部中的一个栅极沟槽部的下端相接地设置，另一个栅极沟槽部的下端可以与第一导电型的区域相接。
21、应予说明，上述
技术实现思路
并没有列举本专利技术的全部必要特征。另外，这些特征组的子组合也能够另外成为专利技术。
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，
12.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
14.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
15.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
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