半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置(100)，其具备：多个沟槽部，其包括栅极沟槽部(G)和虚设沟槽部(E)，且从半导体基板(10)的上表面起设置到比基区(14)更靠下方的位置；第二导电型的第一下端区(202)，其与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区(11)，其在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高；第二导电型的第二下端区(205)，其在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、以往，已知有将与p型的阱区分离的p型的浮置区设置于栅极沟槽的底部的结构(例如参照专利文献1)。

2、专利文献1：日本特开2019-91892号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、优选半导体装置的耐压或耐量不降低。

3、技术方案

4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中提供一种半导体装置。半导体装置可以具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，并且包括第一导电型的漂移区。半导体装置可以具备第二导电型的基区，所述第二导电型的基区设置在漂移区与半导体基板的上表面之间。半导体装置可以具备多个沟槽部，所述多个沟槽部包括栅极沟槽部和虚设沟槽部，且从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置。半导体装置可以具备第二导电型的第一下端区，所述第二导电型的第一下端区与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置。半导体装置可以具备第二导电型的阱区，所述第二导电型的阱区在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求5所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井洋辅，野口晴司，吉田浩介，浜崎竜太郎，山田拓弥，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：