【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种单晶硅的拉晶过程控制方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、单晶硅是半导体芯片和光伏电池的基础材料之一。直拉法在单晶硅生产中扮演了重要的角色。在拉晶过程中，晶体的直径控制对晶体质量和生产效率有重要的影响。
2、相关技术中，传统的直径控制由pid控制器实现，其原理是：通过光学传感器测量弯月面处的晶体直径，通过与设定的目标直径比较，产生误差信号，pid控制器通过调整晶升速度来控制直径，使晶体直径达到设定值。但是，由于拉晶过程的不同阶段对晶升速度有不同的要求，在等径生长阶段的早期通常需要降低主加热功率来提高晶升速度，在等径生长阶段的后期通常需要增加主加热功率以抑制晶升速度过高，在这些过程中热场等环境因素会发生变化。此外，在批量生产过程中，单晶炉本身的特性也会发生改变。这些因素都导致传统的pid控制方法难以达到较高的控制精度。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种单晶硅的拉晶过程控制方法、装置、电子设备及存储介质，以实现能够在不同环境因素影响的情况下，对晶体直径进行智能控制的效果，从而，提高了直径控制精度。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种单晶硅的拉晶过程控制方法，该方法包括：
3、在待控制单晶硅的拉晶过程中，获取所述待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集；其中，所述拉晶过程序列集中包括晶体直径序列、晶升速度序列以及环境参数序列；所述拉晶过程序列集中各序列的序列长度对应于第一预设时长；所述环境
4、基于所述多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定所述待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列；其中，所述晶体直径预测序列的序列长度对应于所述第二预设时长；
5、基于所述多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，并基于所述目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对所述待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制。
6、根据本专利技术的另一方面，提供了一种单晶硅的拉晶过程控制装置，该装置包括：
7、序列集获取模块，用于在待控制单晶硅的拉晶过程中，获取所述待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集；其中，所述拉晶过程序列集中包括晶体直径序列、晶升速度序列以及环境参数序列；所述拉晶过程序列集中各序列的序列长度对应于第一预设时长；所述环境参数序列中包括主加热功率和液口距；
8、直径预测序列确定模块，用于基于所述多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定所述待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列；其中，所述晶体直径预测序列的序列长度对应于所述第二预设时长；
9、速度预测序列确定模块，用于基于所述多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，并基于所述目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对所述待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制。
10、根据本专利技术的另一方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括：
11、至少一个处理器；以及
12、与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
13、所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本专利技术任一实施例所述的单晶硅的拉晶过程控制方法。
14、根据本专利技术的另一方面，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机指令，所述计算机指令用于使处理器执行时实现本专利技术任一实施例所述的单晶硅的拉晶过程控制方法。
15、本专利技术实施例的技术方案，通过在待控制单晶硅的拉晶过程中，获取待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集，进一步的，基于多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列，最后，基于多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，并基于目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制，解决了相关技术中无法对单晶硅拉晶过程中的晶体直径进行精准控制的问题，实现了能够在不同环境因素影响的情况下，对晶体直径进行智能控制的效果，从而，提高了直径控制精度。
16、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种单晶硅的拉晶过程控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时长包括所述当前时刻和所述当前时刻之前的预设历史时长；所述获取所述待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定所述待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于各所述绝对偏差和确定所述目标晶升速度预测序列，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对所述待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制，包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述构建多个训练样本，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种单晶硅的拉晶过程控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一预设时长包括所述当前时刻和所述当前时刻之前的预设历史时长；所述获取所述待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定所述待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宽阔，
申请(专利权)人：南栖仙策南京高新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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