【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶体制备，特别是涉及一种加料控制方法、一种加料控制装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
1、单晶硅材料的制备工艺以直拉法(czochralski process/cz)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
2、其中，当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温，将温度调整到引晶的温度。引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，在引晶温度下，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后，进入转肩过程。转肩是将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤，在该步骤中，通过对拉速和温度的自动控制，让晶体将按照设定的直径等径生长。p>
3、在单晶本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种加料控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述上轴上悬挂的物体的重量和所述上轴的位置，控制所述上轴的下降和停止，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述响应于加料指令，控制直拉单晶设备的上轴下降的过程中，所述上轴的下降速度为第一预设速度；在所述根据所述上轴的位置，控制所述上轴下降到第二位置的过程中，所述上轴的下降速度为第二预设速度；在所述在所述上轴在所述第二位置停留第一预设时长后，控制所述上轴继续下降的过程中，所述上轴的下降速度为第三预设速度；所述第一预设速度大于第二预设速度，所...
【技术特征摘要】
1.一种加料控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述上轴上悬挂的物体的重量和所述上轴的位置，控制所述上轴的下降和停止，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述响应于加料指令，控制直拉单晶设备的上轴下降的过程中，所述上轴的下降速度为第一预设速度；在所述根据所述上轴的位置，控制所述上轴下降到第二位置的过程中，所述上轴的下降速度为第二预设速度；在所述在所述上轴在所述第二位置停留第一预设时长后，控制所述上轴继续下降的过程中，所述上轴的下降速度为第三预设速度；所述第一预设速度大于第二预设速度，所述第二预设速度大于所述第三预设速度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述响应于加料指令，控制直拉单晶设备的上轴下降之前，所述方法还包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对加料时机的检测，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周宏坤，张伟建，刘永生，李羊飞，郭力，杨正华，杨丽，何平，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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