【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶硅制备领域，具体涉及一种用于直拉单晶热场反射导流装置。
技术介绍
1、在直拉法生产单晶硅工艺中，拉制12吋及以上大尺寸晶棒时，相比10吋以下晶棒，由于导流筒(也称热屏)下口尺寸增大50mm以上，在调温、引晶时，由此带来两个问题，一是熔硅散热量增加，引晶功率较10吋上升10kw左右，进而导致液面温度波动增大，石英坩埚腐蚀加快，造成挥发物增多，液面抖动，石英坩埚寿命缩短，二是溶硅液面上方气流量分散，进而导致氩气气流无法有效带走挥发物。以上问题导致放肩断棱比例明显上升，从而影响成晶率。现有方法通常是采用增加坩埚转速、增大氩气流量来调节温度和气流，但是由于调节范围的局限性，无法有效解决以上问题，同时带来晶体氧含量升高等问题。
技术实现思路
1、技术目的：本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种热场反射导流装置，对熔硅辐射热量进行隔绝和反射，减小液面温度波动，同时改善气路，提高气流量。
2、为了实现上述目的，本技术采取的技术方案如下：
3、一种用于直拉单晶热场反射导流装置，包括导流板和反射板；所述导流板为一碟形结构，中心具有上下贯穿的通孔，所述导流板通过中心的通孔套接在重锤上；所述的反射板为上下开口的圆筒状结构，其安装在导流筒上环上。
4、进一步地，所述导流板为由上部椎体和下部椎体构成的碟形结构；所述的上部椎体自下而上环向收紧，所述的下部椎体自上而下环向收紧。
5、进一步地，所述的上部椎体底部与下部椎体顶部相互固定或
6、进一步地，所述上部椎体的顶部开口与下部椎体的底部开口尺寸相同，并与重锤外径相适配，从而形成与重锤套接的中心通孔。
7、进一步地，所述的上部椎体和下部椎体的内壁填充或者安装有固化碳纤维软毡。
8、更进一步地，所述的上部椎体的顶部开口处还连接有一锥形套筒，所述的锥形套筒内壁与重锤的上部斜面相适配，通过锥形套筒将整个导流板套装在重锤的上部斜面处。
9、优选地，所述的上部椎体的侧面斜度为90～120°；所述的下部椎体的侧面斜度为120～150°；上部椎体和下部椎体的壁面厚度为0.2-0.5mm。
10、进一步地，所述的上部椎体、下部椎体和锥形套筒之间采用相同材质一体成型，或者通过螺钉铆接加工而成。
11、进一步地，所述反射板的底部开口大于顶部开口；反射板的侧面开设有一方形缺口，所述方形缺口与上部开口连通。
12、进一步地，所述的反射板采用相同材质一体成型或者通过螺钉铆接加工而成，壁面厚度为0.2-0.5mm。
13、有益效果：
14、该热场反射导流装置两部分分别安装与热场上部与籽晶重锤上部，利用材料的反射和隔热特性，对熔硅辐射热量进行隔绝和反射，增加调温、引晶时液面上方热量反射，能够降低调温、引晶时功耗，减小液面温度波动，同时结构能改变气路，减少紊流，提高气流集中性，有效带走挥发物。
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1.一种用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，包括导流板(1)和反射板(2)；所述导流板(1)为一碟形结构，中心具有上下贯穿的通孔(101)，所述导流板(1)通过中心的通孔(101)套接在重锤(3)上；所述的反射板(2)为上下开口的圆筒状结构，其安装在导流筒上环(5)上。
2.根据权利要求1所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述导流板(1)为由上部椎体(102)和下部椎体(103)构成的碟形结构；所述的上部椎体(102)自下而上环向收紧，所述的下部椎体(103)自上而下环向收紧。
3.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)底部与下部椎体(103)顶部相互固定或者一体成型。
4.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述上部椎体(102)的顶部开口与下部椎体(103)的底部开口尺寸相同，并与重锤(3)外径相适配，从而形成与重锤(3)套接的中心通孔(101)。
5.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102
6.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)的顶部开口处还连接有一锥形套筒(104)，所述的锥形套筒(104)内壁与重锤(3)的上部斜面相适配，通过锥形套筒(104)将整个导流板(1)套装在重锤(3)的上部斜面处。
7.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)的侧面斜度为90～120°；所述的下部椎体(103)的侧面斜度为120～150°；上部椎体(102)和下部椎体(103)的壁面厚度为0.2-0.5mm。
8.根据权利要求6所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)、下部椎体(103)和锥形套筒(104)之间采用相同材质一体成型，或者通过螺钉铆接加工而成。
9.根据权利要求1所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述反射板(2)的底部开口大于顶部开口；反射板(2)的侧面开设有一方形缺口(201)，所述方形缺口(201)与上部开口连通。
10.根据权利要求9所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的反射板(2)采用相同材质一体成型或者通过螺钉铆接加工而成，壁面厚度为0.2-0.5mm。
...【技术特征摘要】
1.一种用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，包括导流板(1)和反射板(2)；所述导流板(1)为一碟形结构，中心具有上下贯穿的通孔(101)，所述导流板(1)通过中心的通孔(101)套接在重锤(3)上；所述的反射板(2)为上下开口的圆筒状结构，其安装在导流筒上环(5)上。
2.根据权利要求1所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述导流板(1)为由上部椎体(102)和下部椎体(103)构成的碟形结构；所述的上部椎体(102)自下而上环向收紧，所述的下部椎体(103)自上而下环向收紧。
3.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)底部与下部椎体(103)顶部相互固定或者一体成型。
4.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述上部椎体(102)的顶部开口与下部椎体(103)的底部开口尺寸相同，并与重锤(3)外径相适配，从而形成与重锤(3)套接的中心通孔(101)。
5.根据权利要求2所述的用于直拉单晶热场反射导流装置，其特征在于，所述的上部椎体(102)和下部椎体(103)的内壁填充或者安装有固化碳纤维软毡(105)。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗宁，
申请(专利权)人：宁夏协鑫光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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