保温结构及晶体生长炉制造技术

本发明专利技术涉及一种保温结构及晶体生长炉，该保温结构用于晶体生长炉，晶体生长炉包括坩埚和用于对坩埚加热的加热装置，包括：内保温体，具有保温腔；外保温体，套设于内保温体外，内保温体与外保温体之间设有空腔。该保温结构通过设置空腔，使得保温腔内的一部分将要散失到外界的热量会经过空腔。空腔减缓了这些热量的传递速度，提高了保温结构的保温性能，有利于加强炉内热场的保温，从而提高晶体的生长质量，有利于大直径单晶的生长，能够降低晶体生长炉的能量损耗，提高晶体生长炉的加热效率。空腔的设置改变了保温结构的导热系数，有助于改善保温结构内的温度梯度，从而减少坩埚中的熔汤在晶体生长过程中产生的气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体生长，特别是涉及保温结构及晶体生长炉。

技术介绍

1、在晶体生长炉中，保温结构用于保持炉内热场温度的稳定，参与了炉内热场的形成。蓝宝石晶体、碳化硅晶体等晶体的形貌、生长速度、生长质量极其依赖热场，如果热场稳定，那么晶体的生长品质较高；如果热场不稳定，那么晶体在生长过程中容易产生各种缺陷，导致晶体的生长质量较低，情况严重时还会出现变晶现象，导致无法长出晶体。特别地，大直径单晶的生长时间较长，在生长大直径单晶时，利用保温结构加强热场中低温区的保温，对保证晶体不开裂、维持生长界面温度、保证熔体部局部成核结晶起着极为重要的作用。

2、晶体生长炉包括炉体、炉盖、保温结构、加热装置和坩埚。炉体和炉盖位于最外侧，两者共同围设出炉室，保温结构位于炉室内，加热装置位于保温结构内，坩埚位于加热装置内。坩埚用于盛放晶体生长材料，加热装置用于对坩埚加热以使坩埚内的晶体生长材料达到所需的生长温度。保温结构将坩埚和加热装置围住以使加热装置产生的热量尽量多地留在保温结构内，然而，仍然会有较多的热量通过现有的保温结构以热传导的方式散失到外界，造成热量损失，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种保温结构，用于晶体生长炉，所述晶体生长炉包括坩埚（400）和用于对坩埚（400）加热的加热装置（500），其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）呈螺旋形。

3.根据权利要求2所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）设有多个，多个所述空腔（211）平行地间隔设置。

4.根据权利要求3所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）的宽度大于相邻两个所述空腔（211）之间的间隔。

5.根据权利要求1所述的保温结构，其特征在于，所述内保温体（212）的外壁和/或所述外保温体（213）的内壁...

【技术特征摘要】

1.一种保温结构，用于晶体生长炉，所述晶体生长炉包括坩埚（400）和用于对坩埚（400）加热的加热装置（500），其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）呈螺旋形。

3.根据权利要求2所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）设有多个，多个所述空腔（211）平行地间隔设置。

4.根据权利要求3所述的保温结构，其特征在于，所述空腔（211）的宽度大于相邻两个所述空腔（211）之间的间隔。

5.根据权利要求1所述的保温结构，其特征在于，所述内保温体（212）的外壁和/或所述外保温体（213）的内壁上设有凹槽，以在所述内保温体（212）和所述外保温体（213）之间形成所述空腔（211）。

6.根据权利要求5所述的保温结构，其特征在于，所述内保温体（212）的外壁与所述外保温体（213）的内壁贴合设置。

7.根据权利要求5所述的保温结构，其特征在于，所述内保温体（212）由碳毡制成，其中：所述内保温体（212）的外壁面涂设有致密材料；及/或，所述内保温体（212）的外壁面硬化处理；及/或，所述内保温体（212）的内壁面涂设有致密材料；及/或，所述内保温体（212）的内壁面硬化处理。

8.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，宋建军，欧阳鹏根，石刚，
申请(专利权)人：内蒙古晶环电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：