一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管技术

本发明专利技术提供了一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。所述制备方法包括如下步骤：提供第一Si/SiO<subgt;2</subgt;基底；将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液；将混合溶液旋涂在第一Si/SiO<subgt;2</subgt;基底上，以在所述第一Si/SiO<subgt;2</subgt;基底上形成混合分子薄膜；在混合分子薄膜上放置第二Si/SiO<subgt;2</subgt;基底，以使混合分子薄膜处于第一Si/SiO<subgt;2</subgt;基底和第二Si/SiO<subgt;2</subgt;基底之间，得到限域沉积结构；将限域沉积结构置入气相沉积装置中，对气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO<subgt;2</subgt;基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。根据本发明专利技术的方案，通过制备得到限域沉积结构以及混合具有不同侧链长度的两种BTBT同系物分子，从而可以制备得到两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机单分子层晶体制备的，尤其涉及一种有机单分子层共晶的制备方法及有机场效应晶体管。

技术介绍

1、随着有机半导体晶体的广泛研究和应用，有机单分子层晶体(organic monolayercrystals,omcs)逐渐受到重视。由于有机小分子通常具有强烈的面内相互作用，许多有机小分子倾向于二维生长，从而有利于有机单分子层晶体的实现。单分子层作为有机晶体厚度的极限，对有机电子学的研究具有重要意义。研究认为载流子输运主要集中在晶体表面几个分子层，而直接生长单分子层有助于直接研究并深入理解有机材料的载流子输运理论。此外，较薄的半导体层厚度意味着更小的通道电阻和更高的迁移率，而单分子层超薄的厚度也增强了栅极对沟道的调节作用，从而可以大大减小关断电流，这在光电晶体管中表现为暗电流的减少，进而提高了光电灵敏度。因此，omcs也为有机光电晶体管提供了独特而新颖的发展机会。

2、然而，与具有强面内化学键的无机材料相比，有机分子主要依靠次级键进行分子堆积，因此omcs的均匀生长更难控制，同时也难以避免分子层间堆叠，这使得omcs的生长仍然是一个挑战本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机单分子层共晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将侧链长度不同的两种BTBT同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液的步骤中，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2*10-6-4*10-6mol/mL中任一值；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二Si/SiO2基底上生长出两种BTBT同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，加热温度为130-150℃中任一值。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种有机单分子层共晶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将侧链长度不同的两种btbt同系物分子溶解在可挥发溶剂中，得到混合溶液的步骤中，所述混合溶液中总溶质分子浓度为2*10-6-4*10-6mol/ml中任一值；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二si/sio2基底上生长出两种btbt同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，加热温度为130-150℃中任一值。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述限域沉积结构置入气相沉积装置中，对所述气相沉积装置进行加热，从而在所述第二si/sio2基底上生长出两种btbt同系物分子的有机单分子层共晶的步骤中，对所述气相沉积装置进行加热之前，还包括如下步骤：

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述将所述混合溶液旋涂在所述第一si/...

【专利技术属性】
技术研发人员：张秀娟，陈锦辉，
申请(专利权)人：苏州英凡瑞得光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：