半导体单晶阵列、光电晶体管的制备方法及光电晶体管技术

技术编号:40515929 阅读:23 留言:0更新日期:2024-03-01 13:32
本发明专利技术提供了一种半导体单晶阵列、光电晶体管的制备方法及光电晶体管,属于偏振光探测技术领域。该有机小分子半导体单晶阵列的制备方法包括:提供一包括氧化硅层的硅基底;将苯并噻吩类有机小分子晶体溶解在可挥发溶剂中,得到混合溶液;将所述混合溶液沿预设方向涂覆于所述硅基底上,以在所述硅基底上形成具有第一预设厚度的有机小分子半导体单晶阵列。本发明专利技术的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法能够解决制备成本高、难以片上集成的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及偏振光探测,特别是涉及一种半导体单晶阵列、光电晶体管的制备方法及光电晶体管


技术介绍

1、能够模拟昆虫偏振感知的偏振敏感光电探测器在光通讯、人工智能等领域有着重要的应用前景。目前商用的偏振敏感光电探测器基于传统的物理设备架构,光探测元件与偏振元件分离,占地面积大、能耗高、难以大规模集成,对应的制备方法成本较高,且难以在片上集成。


技术实现思路

1、本专利技术第一方面的一个目的是提供一种有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,能够解决制备成本高、难以片上集成的技术问题。

2、本专利技术的进一步的目的是能够提高迁移率。

3、本专利技术的另一个目的是降低功耗。

4、本专利技术第二方面的一个目的提供一种光电晶体管的制备方法。

5、本专利技术第三方面的一个目的通过上述制备方法制备光电晶体管。

6、本专利技术进一步的一个目的是要实现在昏暗、低偏振度的极端环境下的仿生偏振探测。

7、特别地,本专利技术提供了一种有机小分子半导体单晶阵列的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,所述第一预设厚度为9-15nm中的任一值。

3.根据权利要求1所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,所述苯并噻吩类有机小分子晶体为C8-BTBT或C10-BTBT。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,将所述混合溶液沿预设方向涂覆于所述硅基底上的步骤之前还包括:

5.根据权利要求4所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,在所述硅基...

【技术特征摘要】

1.一种有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,所述第一预设厚度为9-15nm中的任一值。

3.根据权利要求1所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,所述苯并噻吩类有机小分子晶体为c8-btbt或c10-btbt。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,将所述混合溶液沿预设方向涂覆于所述硅基底上的步骤之前还包括:

5.根据权利要求4所述的有机小分子半导体单晶阵列的制备方法,其特征在于,在所述硅基...

【专利技术属性】
技术研发人员:张秀娟潘京
申请(专利权)人:苏州英凡瑞得光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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