半导体器件组件以及散热器组件制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件组件以及散热器组件。公开了一种多层热界面材料，其包括第一金属热界面材料层、缓冲层和优选第二金属或非金属热界面材料层。所述多层热界面材料用于与半导体器件组件结合，所述半导体器件组件包括芯片载体衬底、附接到所述衬底的散热器、安装在所述衬底上并在所述散热器下方的半导体器件、以及插入在所述散热器与所述半导体器件之间的所述多层热界面材料。所述散热器具有第一热膨胀系数（ＣＴＥ），ＣＴＥ１，所述缓冲层具有第二ＣＴＥ，ＣＴＥ２，并且半导体器件具有第三ＣＴＥ，ＣＴＥ３，其中ＣＴＥ１＞ＣＴＥ２＞ＣＴＥ３。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于包括应力消除缓冲层的半导体器件的热界面材料和封装热设计。
技术介绍
包括在多层载体上的倒装芯片的倒装芯片封装(更具体地，有机倒装芯片封装) 由于在倒装芯片与多层载体之间的热膨胀系数(CTE)失配而固有地在预定温度范围内翘 曲。例如，芯片可具有3ppm/°C的CTE，而有机芯片载体可具有17-24ppm/°C的CTE。这样的 CTE失配可导致载体的弯曲。如果将散热器或盖附接到具有诸如导热油脂的热界面材料的 芯片的背表面，则会在芯片与散热器或盖之间产生不均勻的油脂填充的间隙。由于可不利 地影响热性能的载体的弯曲，热界面材料同样会被拉伸。在严重情况下，会发生热界面材料 的裂开或分离。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，通过提供一种散热器组件，可以实现以上和以下描述的 本专利技术的各种优点和目的，所述散热器组件包括用于芯片载体衬底的散热器，所述散热器具有第一热膨胀系数CTEl ；与所述散热器接触的多层热界面材料，所述热界面材料包括与所述散热器接触的 第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第 二热膨胀系数CTE2，其中CTEl &g本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种散热器组件，包括：用于芯片载体衬底的散热器，所述散热器具有第一热膨胀系数ＣＴＥ１；与所述散热器接触的多层热界面材料，所述热界面材料包括与所述散热器接触的第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第二热膨胀系数ＣＴＥ２，其中ＣＴＥ１＞ＣＴＥ２。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：VR贾达夫，KK斯卡，郑见涛，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]