【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适合作为电源模块用底板的铝一碳化硅复合体以及使用该复 合体的散热零件。
技术介绍
近年来半导体元件随着高集成化和小型化，其发热量也在不断增加，如何 高效散热已成为研究课题。作为电源模块用电路基板，如今使用在具有高绝缘 性，高导热性的例如氮化铝基板、氮化硅基板等陶瓷基板的表面形成有铜制或 铝制的金属电路的电路基板。现有电路基板的典型散热结构为在电路基板背面(散热面)的金属板例如 铜板上锡焊底板而形成的结构，作为底板，通常为铜制。但该结构存在以下问 题当在半导体器件上施加热负荷时，焊锡层会出现因底板与电路基板的热膨 胀差引起的裂纹，其结果是，散热不充分而引起半导体元件的误动作或损坏。为此，作为热膨胀系数与电路基板接近的底板，提出了铝合金一碳化硅复 合体(专利文献l)。专利文献1:日本专利特表平3 — 509860号公报底板多与散热片接合使用，其接合部分的形状、翘曲程度也是重要的特性。 例如将底板与散热片接合时，通常在涂布高导热性的散热润滑油后，利用设置 在底板周缘部的孔和螺丝将底板固定在散热片或散热单元等上，但如果底板上 存在大量微小凹凸，则在底板与散...
【技术保护点】
电源模块用底板，其特征在于，由铝－碳化硅复合体形成，所述复合体通过将平板状碳化硅多孔体成形或加工成面内厚度差为１００μｍ以下后以１～２０Ｎｍ的面方向的紧固力矩用脱模板夹持而层叠、并使其含浸以铝为主要成分的金属而得到， 在两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，该铝层的平均厚度为１０～１５０μｍ，铝层的面内厚度的最大值与最小值之差为８０μｍ以下，两主面的铝层的平均厚度之差为５０μｍ以下，且所述碳化硅多孔体的形状是长方形，或是在长方形上附加了将孔部包围的部分的外周部而形成的形状。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：广津留秀树，岩元豪，塚本秀雄，日隈智志，桥本信行，
申请(专利权)人：电气化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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