【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备领域，尤其涉及一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备 方法。
技术介绍
目前，厚膜S0I(绝缘体上的硅Silicon-On-Insulator或绝缘体上的半导体 Semiconductor-On-Insulator)材料广泛的应用于高压功率器件和微机电系统(MEMS)领 域，特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。所谓厚膜S0I材料通常是指顶层 半导体层大于1 P m的材料。由于电源的控制与转换、汽车电子以及消费性功率器件方面对 恶劣环境、高温、大电流、高功耗方面的要求，使得在可靠性方面的严格要求不得不采用S0I 器件。目前厚膜S0I材料的用户主要包括美国Maxim、ADI、TI (USA)，日本NEC、Toshiba、 Panasonic、Denso、TI (Japan)、FUJI、Omron 等，欧洲 Philips、X-Fab 等。在这些 SOI 材料 用户里面，很大的应用主要来源于各种应用中的驱动电路如Maxim的应用于主要为手机 接受段的放大器电路；Panasonic、TI、FUJI、Toshiba、NEC等主要应用在显示...
【技术保护点】
一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是１μｍ至１０μｍ；抛光减薄后的器件层衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，王湘，杨建，张苗，王曦，林成鲁，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：31
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