在基片上制造结晶材料的方法和多层结构技术

技术编号:3237116 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种形成结晶层或多晶层的方法包括提供一基片以及在该基片上形成图形。该方法还包括提供成核材料以及在该成核材料上形成结晶层。位于基片上的结晶材料可以是单晶的或多晶的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有关申请的交叉参照本申请要求2004年5月21日提交的申请号为10/851,038的美国专利申请的优先权,该申请是Couillard等人于2003年7月18日提交的序列号为10/622,606且标题为“Silicon Crystallization Using Self-Assembled Monolayers”的美国专利申请的部分延续申请,该申请已转让给本申请的受让人。要求根据35U.S.C§120的优先权,并且该申请的全部内容都被特别地包括在本文中作为参考。
技术介绍
在许多技术中,将电子元件制造在器件的基片上是很有用的。通常,这些电子器件是由基片上所形成的一层或多层半导体构成的。例如,薄膜晶体管(TFT)常常是由液晶(LC)板或有机发光二极管(OLED)板中的基片上的半导体材料构成。LC板和OLED板分别用在LC显示器(LCD)和OLED显示器中。另外,太阳能电池板常常包括多个单独的电池,这些电池包括由基片上所形成的一层或多层半导体构成的晶体管。在LCD器件中,使用包括TFT阵列的电子元件来控制电压,而电压可调制液晶材料层。通常,阵列中的晶体管都是金属氧化物半导体(MOS)器件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基片上制造单晶或多晶材料的方法,所述方法包括:提供一基片;在所述基片上形成一个层;在所述层上形成成核位点;在所述基片上形成非晶层;以及使所述非晶半导体层结晶。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:JG库亚尔KP加德卡尔Y施
申请(专利权)人:康宁股份有限公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1