【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于sic半导体器件，具体涉及一种低掺杂型4h-sic欧姆接触及其制备方法。
技术介绍
1、sic半导体器件和电路在功率器件与模块、恶劣环境以及电子电力传输等领域应用广泛且部分场景无法替代。作为sic半导体器件和电路的基础。优秀的金属/sic欧姆接触是相关器件和电路工作的基石。目前，ni以及其合金作为sic欧姆接触金属的主流选择，主要是使用ni或者ni、ti、al相关合金与高掺sic在高温退火条件下形成sic欧姆接触。
2、但是ni及其相关合金需要在高浓度离子注入区与sic形成欧姆接触。离子注入工艺昂贵且会带来sic的表面损伤，离子注入后需进行高温退火激活，且sic材料离子注入的激活温度往往在1500℃以上。这会带来额外的热预算不利于器件降低成本。此外，ni与c的亲和能差，在退火过程中sic中的c析出成为游离c，这不利于后续的引线键合工艺。sic与ni及其相关合金形成的欧姆接触高温热稳定性差，无法发挥sic半导体器件的高温工作优势。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种低掺杂型4h-sic欧姆接触及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
2、本专利技术提供了一种低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，包括：
3、步骤1：在器件的sic层的上表面交替生长w种子层和c种子层形成合金种子层，其中，所述合金种子层中第一层的w种子层与所述sic层接触；
4、步骤2：在所述合金种
5、步骤3：对所述器件进行快速热退火处理，以使所述合金种子层与所述sic层形成欧姆接触。
6、在本专利技术的一个实施例中，所述sic层为n型掺杂或p型掺杂，掺杂浓度范围为5×1015cm-3～5×1016cm-3。
7、在本专利技术的一个实施例中，所述w种子层的厚度为5nm～10nm，所述c种子层的厚度为5nm～10nm。
8、在本专利技术的一个实施例中，所述合金种子层中所述w种子层和所述c种子层的层数总和为8～12。
9、在本专利技术的一个实施例中，所述pad层为w金属层，厚度为1μm～2μm。
10、在本专利技术的一个实施例中，所述快速热退火处理的工艺为：在氩气或氮气氛围，温度为1200℃～1250℃的条件下退火360s～900s。
11、本专利技术提供了一种低掺杂型4h-sic欧姆接触，包括：
12、sic层；
13、合金种子层，设置在所述sic层上，其中，所述合金种子层包括自下而上依次层叠设置的w种子层和c种子层；
14、pad层，设置在所述合金种子层上；
15、其中，所述合金种子层中第一层的w种子层与所述sic层接触，所述合金种子层中最后一层的c种子层与所述pad层接触。
16、在本专利技术的一个实施例中，所述sic层为n型掺杂或p型掺杂，掺杂浓度范围为5×1015cm-3～5×1016cm-3。
17、在本专利技术的一个实施例中，所述w种子层的厚度为5nm～10nm，所述c种子层的厚度为5nm～10nm，所述合金种子层中所述w种子层和所述c种子层的层数总和为8～12。
18、在本专利技术的一个实施例中，所述pad层为w金属层，厚度为1μm～2μm。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
20、本专利技术的低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，sic层为低掺杂型sic，无需额外的高能离子注入，节省了工艺成本且避免了离子注入带来的器件损伤，此外，制备得到的欧姆接触性能良好、热可靠性高。
21、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
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1.一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，所述SiC层为n型掺杂或p型掺杂，掺杂浓度范围为5×1015cm-3～5×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，所述W种子层的厚度为5nm～10nm，所述C种子层的厚度为5nm～10nm。
4.根据权利要求1所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，所述合金种子层中所述W种子层和所述C种子层的层数总和为8～12。
5.根据权利要求1所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，所述Pad层为W金属层，厚度为1μm～2μm。
6.根据权利要求1所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，所述快速热退火处理的工艺为：在氩气或氮气氛围，温度为1200℃～1250℃的条件下退火360s～900s。
7.一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述
9.根据权利要求7所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触，其特征在于，所述W种子层(2)的厚度为5nm～10nm，所述C种子层(3)的厚度为5nm～10nm，所述合金种子层中所述W种子层(2)和所述C种子层(3)的层数总和为8～12。
10.根据权利要求7所述的低掺杂型4H-SiC欧姆接触，其特征在于，所述Pad层(4)为W金属层，厚度为1μm～2μm。
...【技术特征摘要】
1.一种低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，其特在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，其特在于，所述sic层为n型掺杂或p型掺杂，掺杂浓度范围为5×1015cm-3～5×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，其特在于，所述w种子层的厚度为5nm～10nm，所述c种子层的厚度为5nm～10nm。
4.根据权利要求1所述的低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，其特在于，所述合金种子层中所述w种子层和所述c种子层的层数总和为8～12。
5.根据权利要求1所述的低掺杂型4h-sic欧姆接触的制备方法，其特在于，所述pad层为w金属层，厚度为1μm～2μm。
6.根据权利要求1所述的低掺杂型4h-sic欧姆接...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁昊，周瑜，韩超，杜丰羽，何艳静，
申请(专利权)人：芜湖西晶微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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