本发明专利技术公开了一种4H‑SiC COMS紫外反相器，该反相器包括n型4H‑SiC外延层，其左侧注入有P离子，以形成p阱区，同时在右侧形成n阱区；栅氧层，位于外延层的下方，并向两侧延伸至部分p阱区和部分n阱区下面；n型源极和p型源，分别位于n阱区和p阱区的下方；栅电极，沿栅氧层的下表面向上延伸至栅氧层内；电极Pad，位于n型源极、p型源极以及栅氧层的下方；紫外感光层，设置在外延层的上表面两端；n型漏极和p型漏极，分别位于n阱区和p阱区上方；若干减反陷光结构，等间隔排布在n型漏极和p型漏极上。该器件结构简单，对工艺要求较低，无需额外的电流处理设备即可直接完成信号输出，降低了对后续的电信号处理要求高。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子，具体涉及一种4h-sic coms紫外反相器及其制备方法。
技术介绍
1、光电探测器是利用光电效应，把光学辐射转化成电学信号的器件。光电效应可分为外光电效应和内光电效应。在外光电效应中，光子激发光阴极产生光电子，然后被外电极收集，获得的光信号(电流等)是接收到的辐射转换值。外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。紫外探测器就是作用于紫外波段的光电效应器件。
2、随着微电子技术的发展，与高温紫外成像设备相关的紫外探测器在工业领域以及深空探测、行星探测，甚至后续载人登月等相关领域有着重要的作用。作为高温应用的优秀代表，4h-sic相关紫外探测技术备受关注，尤其是片上集成图像传感器。
3、目前，现有的片上集成图像传感器大多使用二极管结构并串联双极性晶体管进行像素化。然而，由于双管串联的结构设计使得现有器件对工艺要求较高，且信号a/d转化过程中噪声大、易失真，对后续的电信号处理要求高，不适用于恶劣的工作环境。
技术实现思路
>1、为了解决现有技本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种4H-SiC COMS紫外反相器，其特征在于，包括电极Pad(1)、栅电极(2)、栅氧层(3)、n型源极(4)、p型源极(5)、n型4H-SiC外延层(6)、紫外感光层(7)、n型漏极(8)、p型漏极(9)以及若干减反陷光结构(10)；其中，
2.根据权利要求1所述的一种4H-SiC COMS紫外反相器，其特征在于，所述电极Pad(1)为厚Al电极。
3.根据权利要求1所述的一种4H-SiC COMS紫外反相器，其特征在于，所述栅电极(2)采用poly Si栅电极。
4.根据权利要求1所述的一种4H-SiC COMS紫外反相器，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种4h-sic coms紫外反相器，其特征在于，包括电极pad(1)、栅电极(2)、栅氧层(3)、n型源极(4)、p型源极(5)、n型4h-sic外延层(6)、紫外感光层(7)、n型漏极(8)、p型漏极(9)以及若干减反陷光结构(10)；其中，
2.根据权利要求1所述的一种4h-sic coms紫外反相器，其特征在于，所述电极pad(1)为厚al电极。
3.根据权利要求1所述的一种4h-sic coms紫外反相器，其特征在于，所述栅电极(2)采用poly si栅电极。
4.根据权利要求1所述的一种4h-sic coms紫外反相器...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜丰羽，韩超，周瑜，袁昊，
申请(专利权)人：芜湖西晶微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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