温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种4H‑SiC COMS紫外反相器，该反相器包括n型4H‑SiC外延层，其左侧注入有P离子，以形成p阱区，同时在右侧形成n阱区；栅氧层，位于外延层的下方，并向两侧延伸至部分p阱区和部分n阱区下面；n型源极和p型源，分别位于n阱...
该专利属于芜湖西晶微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖西晶微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。