一种深沟槽4H-SiC紫外光晶体管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟槽4H‑SiC紫外光晶体管的制备方法，包括：制备n型4H‑SiC外延层；对其不同区域进行离子注入形成p阱区、n+区和p+区，并使用CMP工艺减薄；对p阱区表面刻蚀多个沟槽得到沟槽型P阱区；在沟槽型P阱区的下表面制备栅氧层；在栅氧层的下表面中心区域制备poly Si栅电极；在沟槽型P阱区两侧区域上表面制备源电极和漏电极；在沟槽型P阱区的上表面生长沟槽修饰钝化层；在栅氧层下表面制备Al金属Pad，其中，Al金属Pad包裹poly Si栅电极，且下表面超过poly Si栅电极的下表面；在器件下表面旋涂导热硅脂形成底部平齐的导热硅脂层。本发明专利技术能简化工艺且适用于高温应用场景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子，具体涉及一种深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法。

技术介绍

1、随着紫外探测技术的快速发展，其在火焰探测、导弹预警、紫外通信和生物医药检测等方面的应用变得越来越广泛。这些应用场景往往处于400℃以上的极高温环境，但目前商业上的硅(si)基和砷化镓(gaas)基紫外探测器受制于自身材料限制，难以在200℃以上的环境中单独完成紫外探测任务，而配套的滤光和冷却系统又大大增加了设备的体积和成本。因此，寻求新技术以解决高温紫外探测问题已经迫在眉睫。

2、碳化硅(sic)作为第三代半导体的优秀代表，以其宽禁带、高临界电场、高热导率等优异特性而备受高温、大功率和抗辐照等领域的关注。目前，常见的sic紫外探测器中，肖特基型、pn结型、以及pin型紫外探测器无增益。雪崩二极管型紫外探测器增益高但噪声大。而光电晶体管由于栅电极的存在，对器件的控制能力更强，且器件结构可以放大光电流形成内部增益。此外，三端栅极控制的光电晶体管探测器还可以通过晶体管栅极施加正向脉冲偏压抑制器件的持续光电导，同时实现较高的光响应度和光响应速度。因此，为了满足对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深沟槽4H-SiC紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深沟槽4H-SiC紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备n型4H-SiC外延层，包括：

3.根据权利要求1所述的深沟槽4H-SiC紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述对得到的p阱区的上表面进行刻蚀形成多个沟槽，得到沟槽型P阱区(3)，包括：

4.根据权利要求3所述的深沟槽4H-SiC紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述多个沟槽为倒梯形；沟槽深度为30～40μm；相邻沟槽的中心间距为3～5μm；倒梯形侧边与水平面形成的锐角θ的范围为45°～85°。...

【技术特征摘要】

1.一种深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备n型4h-sic外延层，包括：

3.根据权利要求1所述的深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述对得到的p阱区的上表面进行刻蚀形成多个沟槽，得到沟槽型p阱区(3)，包括：

4.根据权利要求3所述的深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，所述多个沟槽为倒梯形；沟槽深度为30～40μm；相邻沟槽的中心间距为3～5μm；倒梯形侧边与水平面形成的锐角θ的范围为45°～85°。

5.根据权利要求1所述的深沟槽4h-sic紫外光晶体管的制备方法，其特征在于，在所述沟槽型p阱区(3)的下表面制备栅氧层(4)，包括：

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丰羽，周瑜，袁昊，韩超，
申请(专利权)人：芜湖西晶微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：