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本发明公开了一种深沟槽4H‑SiC紫外光晶体管的制备方法，包括：制备n型4H‑SiC外延层；对其不同区域进行离子注入形成p阱区、n+区和p+区，并使用CMP工艺减薄；对p阱区表面刻蚀多个沟槽得到沟槽型P阱区；在沟槽型P阱区的下表面制备栅氧层...
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