【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆清洗，具体涉及一种超临界流体制造装置。
技术介绍
1、在半导体晶圆(以下称作晶圆)等基板的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，由于在显影、冲洗工序中使用了显影液、冲洗液等药液，因此冲洗工序后必须进行干燥工序。在该干燥工序中，若会由于图案间残存的药液的表面张力(毛细管力)的作用而在图案间作用有拉普拉斯力，从而发生图案倒塌。
2、现有技术中一般采用泵加压输送液体的二氧化碳的方式进行清洗，但是输送的液体二氧化碳容易发生脉动，脉动是在水力学中的紊流中，某空间点的瞬时速度虽随时间不断变化，但却是围绕某一平均值不断跳动，这种跳动称为脉动。
3、因此液体的压力较大地变动，在处理腔室的前方或者处理腔室内变化为超临界状态的二氧化碳的供给量变得不稳定，从而难以稳定地供给二氧化碳的超临界流体发生脉动的液体的压力会发生较大的变动，从而难以稳定的供给二氧化碳的超临界态流体，不稳定的超临界态二氧化碳会对管路内壁造成的侵蚀效果，增压泵内部柱塞密封部分因长时间摩擦会产生大颗粒杂质堵塞管路，并且会对晶圆造成二次污...
【技术保护点】
1.一种超临界流体制造装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超临界流体制造装置，其特征在于，所述第一缓冲组件(2)包括缓冲罐(21)和适于与所述缓冲罐(21)连接的第二传感器(22)；所述缓冲罐(21)适于消除液体介质内的脉动；所述第二传感器(22)适于监测所述缓冲罐(21)出口处介质的温度和压力。
3.根据权利要求2所述的超临界流体制造装置，其特征在于，所述第二缓冲组件(3)包括缓冲室(31)和适于与缓冲室(31)连接的第三传感器(32)；所述缓冲室(31)适于消除液体介质内的脉动；所述第三传感器(32)适于监测所述缓冲室(31)...
【技术特征摘要】
1.一种超临界流体制造装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超临界流体制造装置，其特征在于，所述第一缓冲组件(2)包括缓冲罐(21)和适于与所述缓冲罐(21)连接的第二传感器(22)；所述缓冲罐(21)适于消除液体介质内的脉动；所述第二传感器(22)适于监测所述缓冲罐(21)出口处介质的温度和压力。
3.根据权利要求2所述的超临界流体制造装置，其特征在于，所述第二缓冲组件(3)包括缓冲室(31)和适于与缓冲室(31)连接的第三传感器(32)；所述缓冲室(31)适于消除液体介质内的脉动；所述第三传感器(32)适于监测所述缓冲室(31)出口处介质的温度和压力；所述缓冲室(31)的容积大于所述缓冲罐(21)的容积。
4.根据权利要求1所述的超临界流体制造装置，其特征在于，所述干燥组件(4)包括第三控制组件(41)和干燥室(42)；所述第三控制组件(41)与所述干燥室(42)连接；所述第三控制组件(41)适于调节进入所述干燥室(42)内介质的流量和压力；所述干燥室(42)适于对进入的介质进行干燥处理。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：董建强，张康，史霄，李婷，刘福强，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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