一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，包括：在金刚石导热衬底层下表面生长背反射层；在金刚石导热衬底层上表面的第一区域生长n型4H‑SiC层，在第二区域生长n型β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层；刻蚀n型4H‑SiC层和n型β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层表面形成沟槽；在刻蚀沟槽后的n型4H‑SiC层和n型β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层表面分别形成W<subgt;x</subgt;Si<subgt;y</subgt;O<subgt;1‑x‑y</subgt;钝化保护层和WO<subgt;x</subgt;型钝化保护层，在两个钝化保护层表面形成一层肖特基电极；在肖特基电极表面形成减增透层；其中W<subgt;x</subgt;Si<subgt;y</subgt;O<subgt;1‑x‑y</subgt;钝化保护层、WO<subgt;x</subgt;型钝化保护层、肖特基电极和减增透层的表面均呈沟槽状。本发明专利技术能拓宽响应范围，提高光响应增益，提升热可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子，具体涉及一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法。

技术介绍

1、由于出色的材料特性，sic基半导体器件在高温应用领域发挥着重要的作用。比如，sic紫外探测器极其适用于如金星探测、地热引擎检测、工业监控等高温恶劣环境。常见的高温sic紫外探测器以光电二极管为主，常见有肖特基型、pn结型、pin型以及雪崩型。由于紫外光在sic中的入射深度浅，仅存在于器件的表面，因此pn结型紫外探测器对紫外光的利用率较低，且双极性的特点会引入少子，进而影响器件的响应速度。pin型紫外探测器的漏电低，有助于降低器件的功耗以及高温暗电流，但其制备工艺复杂，成本高且同样面临少子代来的响应速率慢等问题。而肖特基型紫外探测器由于其制备工艺简单，具有自驱动性能且无复合电流而备受关注，但是其仍存在响应范围窄，以及响应度低下的问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、第一方面，本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述金刚石导热衬底层(2)的上表面第一区域上生长n型4H-SiC层(3)；并在所述金刚石导热衬底层(2)的上表面第二区域上生长n型β-Ga2O3层(4)，包括：

3.根据权利要求2所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述n型4H-SiC层(3)和所述n型β-Ga2O3层(4)的厚度为60～80μm。

4.根据权利要求1所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述n型4H-SiC层(3)和所...

【技术特征摘要】

1.一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述金刚石导热衬底层(2)的上表面第一区域上生长n型4h-sic层(3)；并在所述金刚石导热衬底层(2)的上表面第二区域上生长n型β-ga2o3层(4)，包括：

3.根据权利要求2所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述n型4h-sic层(3)和所述n型β-ga2o3层(4)的厚度为60～80μm。

4.根据权利要求1所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述n型4h-sic层(3)和所述n型β-ga2o3层(4)的表面形成沟槽，包括：

5.根据权利要求4所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述沟槽为倒梯形。

6.根据权利要求5所述的宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述预设沟槽深度为30～40μm，所述预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜丰羽，袁昊，韩超，周瑜，
申请(专利权)人：芜湖西晶微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：