一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置，属于导电薄膜制备技术领域。本发明专利技术提供包覆型银纳米线，其包括银纳米线与包覆在所述银纳米线表面的包覆层，形成所述包覆层采用的包覆剂包括聚乙烯吡咯烷酮；将所述包覆型银纳米线分散于溶剂中，得到包覆型银纳米线分散液；将所述包覆型银纳米线分散液涂覆于基板表面，干燥后在所述基板表面形成前驱薄膜；将负载有所述前驱薄膜的基板浸没于极性溶剂中进行焊接处理以去除所述包覆层，在所述基板表面得到所述银纳米线薄膜。本发明专利技术采用溶剂焊接法，仅需要将前驱薄膜浸泡于极性溶剂中即可实现包覆层的去除，从而可以大幅度提高银纳米线薄膜的导电性，且操作简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及导电薄膜制备，尤其涉及一种制备银纳米线薄膜的方法与焊接处理用装置。

技术介绍

1、银纳米线(agnw)薄膜具有良好的柔性、导电性和高透光率，且ag nws易生产，沉积agnw薄膜的工艺相对简单，这使其成为取代铟锡氧化物(ito)的候选材料。近年来随着agnws应用领域的拓展和需求的多样化，其合成和应用技术也开始越来越多元化。

2、传统的多元醇方法因其相对温和的反应条件和简单工艺而被广泛应用于agnws的合成。而近年来由最初的制备更长、更细的agnws，逐渐转变为按需可控合成ag nws。例如，当用于喷涂沉积制备ag nw薄膜时，通常需要使用更短的agnws，以防止堵塞喷头等。此外，虽然采用细的ag nws制备的薄膜透光率更高，但其电阻相比更粗的ag nws制备的薄膜也更大，通电时agnw薄膜因受焦耳热、电迁移导致结构不稳定易损毁，进而使器件失效。目前已开发出一些用于调控长度、直径或长径比等的ag nws合成方法。例如，在传统多元醇法的基础上，通过调节反应温度(130～160℃)和时间(0.3～7h)可以合成从直径45nm和长度3μ本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备银纳米线薄膜的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包覆型银纳米线的制备原料包括银源、聚乙烯吡咯烷酮、添加剂与多元醇；所述银源、聚乙烯吡咯烷酮、添加剂与多元醇的用量比为40～80mmol：40～70mmol：0.05～0.1mmol：1L。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述包覆型银纳米线的制备原料还包括醌类化合物，所述醌类化合物与银源的摩尔比为2～10：4～8。

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述极性溶剂为醇类溶剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种制备银纳米线薄膜的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述包覆型银纳米线的制备原料包括银源、聚乙烯吡咯烷酮、添加剂与多元醇；所述银源、聚乙烯吡咯烷酮、添加剂与多元醇的用量比为40～80mmol：40～70mmol：0.05～0.1mmol：1l。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述包覆型银纳米线的制备原料还包括醌类化合物，所述醌类化合物与银源的摩尔比为2～10：4～8。

4.根据权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述极性溶剂为醇类溶剂。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述醇类溶剂包括甲醇、乙醇、异丙醇和乙二醇中的一种或几种。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述焊接处理的温度为0～100℃，时间为1min～...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓露，郭福，朱昭熹，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：