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本发明公开了一种宽谱响应高温紫外探测器的制备方法，包括：在金刚石导热衬底层下表面生长背反射层；在金刚石导热衬底层上表面的第一区域生长n型4H‑SiC层，在第二区域生长n型β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subg...
该专利属于芜湖西晶微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖西晶微电子科技有限公司授权不得商用。

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