一种深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种深沟槽型pn结4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，该深沟槽型pn结4H‑SiC紫外探测器包括：4H‑SiC衬底层；第一欧姆接触电极，位于4H‑SiC衬底层的下表面；4H‑SiC外延层，位于4H‑SiC衬底层的上表面；4H‑SiC外延层上有刻蚀形成的间隔排列的沟槽结构；4H‑SiC注入层，位于4H‑SiC外延层的上表面和沟槽结构的侧壁和底面；第二欧姆接触电极，位于4H‑SiC注入层的上表面；增透膜层，位于第二欧姆接触电极的上表面；其中，4H‑SiC外延层为第一导电类型，4H‑SiC注入层为第二导电类型，在4H‑SiC外延层与4H‑SiC注入层的界面处形成pn结耗尽区域。本发明专利技术的深沟槽型pn结4H‑SiC紫外探测器，将器件pn结耗尽区由平面调整为立体，在不改变器件有效面积的情况下增加了器件的耗尽区宽度，可以带来数倍的光响应增益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体光电器件领域，具体涉及一种深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器及其制备方法。

技术介绍

1、由于出色的材料特性sic紫外探测器极其适用于高温恶劣环境。如金星探测，地热引擎检测，工业监控等。pn型探测器由于其制备工艺简单、响应速度快、具有自驱动性能且线性灵敏度高等优势。

2、传统的pn型4h-sic紫外探测器的响应度能力较弱。无论是平面或垂直结构，其耗尽层仅为平面分布。另外，肖特基型紫外探测器主要是由其器件自身的耗尽区来完成光生载流子的产生和收集。仅靠传统的减反增透设计对器件性能的提升效果不明显。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

2、本专利技术提供了一种深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，包括：

3、4h-sic衬底层；

4、第一欧姆接触电极，位于所述4h-sic衬底层的下表面；>

5、4h-s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器，其特征在于，所述沟槽结构(301)的深度为50～60μm。

3.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器，其特征在于，相邻所述沟槽结构(301)之间的间距为3～4μm。

4.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器，其特征在于，所述沟槽结构(301)的侧壁与其底面延长线的夹角为45°～85°。

5.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4H-SiC紫外探测器，其特征在于，所述4H-SiC注入层(...

【技术特征摘要】

1.一种深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，其特征在于，所述沟槽结构(301)的深度为50～60μm。

3.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，其特征在于，相邻所述沟槽结构(301)之间的间距为3～4μm。

4.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，其特征在于，所述沟槽结构(301)的侧壁与其底面延长线的夹角为45°～85°。

5.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4h-sic紫外探测器，其特征在于，所述4h-sic注入层(4)的厚度为2.5～3μm，注入离子为al。

6.根据权利要求1所述深沟槽型pn结4h...

【专利技术属性】
技术研发人员：周瑜，袁昊，杜丰羽，何艳静，韩超，
申请(专利权)人：芜湖西晶微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：