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本发明涉及一种深沟槽型pn结4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，该深沟槽型pn结4H‑SiC紫外探测器包括：4H‑SiC衬底层；第一欧姆接触电极，位于4H‑SiC衬底层的下表面；4H‑SiC外延层，位于4H‑SiC衬底层的上表面；4H‑Si...
该专利属于芜湖西晶微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖西晶微电子科技有限公司授权不得商用。

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