【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种led芯片制备方法及led芯片。
技术介绍
1、氧化铟锡(ito)是一种重掺杂、高简并的n型半导体材料，载流子浓度约1021cm3,电导率可达104ω·cm，其主要成分是in2o3，in2o3具有体心立方结构，密度为7.12g/cm3，禁带宽度为3.5-4.6ev。采用氧化铟锡制备的透明导电膜具有优异的透明性和导电性，被广泛应用于液晶显示器，热反射镜、触摸屏、有太阳能电池以及发光二极管等领域。氧化铟锡透明导电膜的制作方法主要有磁控溅射、脉冲激光沉积、溶胶-凝胶以及化学气相沉积等。
2、为了获得跟高的可见光透过率和电导率，将氧化铟锡透明导电膜的退火处理引入其制备工艺中。退火处理不仅可以大幅度的降低薄膜的电阻率，还可以提高整个氧化铟锡透明导电膜制备工艺的稳定性和再生性。
3、现有技术当中，通过沉积得到的氧化铟锡膜层易出现膜层稀疏，不够致密的现象，而氧化铟锡膜层与电极金属之间受应力作用下，容易被拉扯开，导致金属电极脱落，进而影响芯片良率。
技术实现思路
1、基于此，本专利技术的目的是提供一种led芯片制备方法及led芯片，以至少解决氧化铟锡易出现膜层稀疏，不够致密的问题，并且氧化铟锡层与电极金属之间容易受应力作用下拉扯开，从而影响led芯片良率的问题。
2、一方面本专利技术提供一种led芯片制备方法，所述方法包括：
3、提供一晶圆片，对所述晶圆片进行处理，得到处理晶圆片，并刻蚀所述处理晶圆片，得到第一半成品
4、在所述第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并对所述二氧化硅层进行刻蚀，得到第二半成品芯片；
5、将磁控溅射机内的真空度调整至预设值，并向所述磁控溅射机内通入预设流量的氩气与第一氧气，并基于所述磁控溅射机在所述第二半成品芯片上沉积氧化铟锡层，得到第三半成品芯片；
6、在所述氧化铟锡层表面沉积钛膜层，并进行快速退火，得到第四半成品芯片，并对所述第四半成品芯片进行成品处理，以得到成品led芯片。
7、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：通过控制氩气与氧气的流量比，并在氧化铟锡层表面沉积钛膜层，提高了氧化铟锡层的致密性，从而可以提高氧化铟锡层的电导率以及出光效率，并且通过控制氩气与氧气的流量比，使得溅射出来的氧化铟锡层的耐应力提高，从而能够有效避免氧化铟锡层与电极金属之间形成欧姆接触，受应力作用被拉扯开，而导致电极脱落。
8、进一步的，所述对所述晶圆片进行预处理的步骤包括：
9、在所述外延片的表面涂布光刻胶；
10、对涂布完所述光刻胶的所述外延片依次进行第一道曝光及第一道显影。
11、进一步的，所述并刻蚀所述处理晶圆片，得到第一半成品芯片的步骤包括：
12、刻蚀所述处理晶圆片上的p型gan层，以露出所述处理晶圆片上的n型gan层；
13、对刻蚀完成的所述处理晶圆片进行去胶，以得到所述第一半成品芯片。
14、进一步的，所述在所述第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并对所述二氧化硅层进行刻蚀，得到第二半成品芯片的步骤包括：
15、在所述第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并在所述二氧化硅层上涂布一层光刻胶；
16、对沉积完所述二氧化硅层的所述第一半成品芯片依次进行第二道曝光及第二道显影；
17、按预设形状对所述二氧化硅层进行刻蚀，并进行去胶，以得到所述第二半成品芯片。
18、进一步的，所述将磁控溅射机内的真空度调整至预设值，并向所述磁控溅射机内通入预设流量比的氩气与氧气的步骤包括：
19、往所述磁控溅射机内通入氩气，并使所述氩气与第一氧气混合，以使所述氩气对所述磁控溅射机内的靶材进行清洗；
20、其中，所述真空度为2-4*10-6mbar，所述氩气的流量为30sccm-80sccm，加在所述靶材的功率为140w-600w。
21、进一步的，所述第一氧气的流量为0.1sccm-0.6sccm，所述氧化铟锡层的厚度为
22、进一步的，所述在所述氧化铟锡层表面沉积钛膜层的步骤包括：
23、停止往所述磁控溅射机内通入所述第一氧气，并将所述磁控溅射机内的靶材更换为钛靶材；
24、其中，加在所述钛靶材的功率为30w-300w，所述钛膜层的厚度为
25、进一步的，所述并进行快速退火的步骤包括：
26、将rta机台的腔体内的压力调整至预设压力值，并依次向所述rta机台的腔体内通入预设流量的氮气和第二氧气；
27、按预设温度调整所述rta机台的腔体内的温度，并将沉积完所述钛膜层的所述第三半成品芯片置入所述rta机台的腔体内进行退火。
28、进一步的，所述压力值为0.1torr-0.5torr，所述氮气的流量为0.3sccm-0.8sccm，所述第二氧气的流量为0.5sccm-1.2sccm，所述rta机台的腔体内的温度为500℃-600℃，所述退火的时间为2min-10min。
29、另一方面本专利技术提供一种led芯片，所述led芯片根据上述的led芯片制备方法制备得到。
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1.一种LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述对所述晶圆片进行预处理的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述并刻蚀所述处理晶圆片，得到第一半成品芯片的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述在所述第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并对所述二氧化硅层进行刻蚀，得到第二半成品芯片的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述将磁控溅射机内的真空度调整至预设值，并向所述磁控溅射机内通入预设流量比的氩气与氧气的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一氧气的流量为0.1sccm-0.6sccm，所述氧化铟锡层的厚度为
7.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述在所述氧化铟锡层表面沉积钛膜层的步骤包括：
8.根据权利要求1所述的LED芯片制备方法，其特征在于，所述并进行快速退火的步骤包括：
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述对所述晶圆片进行预处理的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述并刻蚀所述处理晶圆片，得到第一半成品芯片的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述在所述第一半成品芯片上沉积二氧化硅层，并对所述二氧化硅层进行刻蚀，得到第二半成品芯片的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述将磁控溅射机内的真空度调整至预设值，并向所述磁控溅射机内通入预设流量比的氩气与氧气的步骤包括：
6.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：张卡，曹丹丹，康龙，胡瑶，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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