【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使流体从晶片的上表面流出来研磨晶片的技术。
技术介绍
1、化学机械研磨(cmp)是一边对研磨面上供给研磨液，一边将晶片按压至研磨面，在研磨液存在下使晶片与研磨面滑动接触，由此研磨晶片的表面的技术。晶片研磨中，晶片通过研磨头被按压至研磨面。晶片的表面通过研磨液的化学作用与研磨液所包含的砥粒及/或研磨垫的机械作用而被平坦化。
2、图12是示意性表示研磨头100的剖视图。研磨头100具有接触晶片w1的上表面的弹性膜110。该弹性膜110具有形成多个压力室101～104的形状，各个压力室101～104内的压力可独立调节。因此，研磨头100能以不同的力按压对应于这些压力室101～104的晶片w1的多个区域，可达成晶片w1所希望的膜厚轮廓。
3、在晶片w1的研磨结束时，经研磨的晶片w1通过搬送装置被搬送至下一工序。如图13所示，接下来的晶片w2通过搬送装置被运送至研磨头100的下方的收授位置。同时，研磨头100被从清洗喷嘴115供给的液体(例如纯水)清洗，而从研磨头100去除研磨液、研磨屑。接着，接下来的晶片w2被保持在研磨头100，通过研磨头100被搬送至研磨面的上方位置。晶片w2通过研磨头100被按压至研磨面，在研磨液存在下被研磨。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本特开2020-131414号公报
7、(专利技术所要解决的课题)
8、但是，如图14所示，在晶片w2的上表面与研磨头100的弹性膜110之间，有存研磨头1
技术实现思路
1、因此，本专利技术提供可使流体从晶片的上表面流出，且研磨头对晶片施加适当的力的研磨方法及研磨装置。
2、(用于解决课题的手段)
3、在一方式中，提供一种研磨方法，使用具有多个压力室的研磨头来研磨晶片，所述多个压力室由弹性膜形成，所述多个压力室包含：第一压力室；第二压力室，该第二压力室位于所述第一压力室的外侧；及第三压力室，该第三压力室位于所述第二压力室的外侧，在所述第一压力室内形成正压且在所述第二压力室内形成负压，使存在于所述晶片的上表面与所述第一压力室之间的流体向外侧移动，之后，在所述第二压力室内形成正压且在所述第三压力室内形成负压，使存在于所述晶片的所述上表面与所述第二压力室之间的所述流体向外侧移动，在所述多个压力室中的位于最外侧的压力室内形成正压，使存在于所述晶片的所述上表面与所述位于最外侧的压力室之间的所述流体向外侧移动，而使所述流体从所述晶片的所述上表面流出，之后，用所述弹性膜将所述晶片的下表面按压至研磨面，来研磨所述晶片的所述下表面。
4、在一方式中，在所述第一压力室内开始形成所述正压的时刻与在所述第二压力室内开始形成所述负压的时刻相同，在所述第二压力室内开始形成所述正压的时刻与在所述第三压力室内开始形成所述负压的时刻相同。
5、在一方式中，在所述第二压力室内形成所述负压包含将所述第二压力室内的压力下降至负压设定值，之后，将所述第二压力室向大气开放，在所述第三压力室内形成所述负压包含将所述第三压力室内的压力下降至负压设定值，之后，将所述第三压力室向大气开放。
6、在一方式中，在所述第二压力室内开始形成所述负压的时刻比在所述第一压力室内开始形成所述正压的时刻靠前，在所述第三压力室内开始形成所述负压的时刻比在所述第二压力室内开始形成所述正压的时刻靠前。
7、在一方式中，在所述第二压力室内形成所述负压包含将所述第二压力室的压力下降至负压设定值，之后，消除所述第二压力室内的所述负压，在所述第一压力室内形成所述正压是在消除所述第二压力室内的所述负压的期间进行的，在所述第三压力室内形成所述负压包含将所述第三压力室的压力下降至负压设定值，之后，消除所述第三压力室内的所述负压，在所述第二压力室内形成所述正压是在消除所述第三压力室内的所述负压的期间进行的。
8、在一方式中，所述第一压力室位于所述弹性膜的中央部。
9、在一方式中，在所述第一压力室内形成所述正压包含将所述第一压力室内的压力提高至第一正压设定值，之后，将所述第一压力室内的压力维持为所述第一正压设定值，在所述第二压力室内形成所述正压包含将所述第二压力室内的压力提高至第二正压设定值，之后，将所述第二压力室内的压力维持为所述第二正压设定值。
10、在一方式中，提供一种研磨装置，研磨晶片，其具备：研磨头，该研磨头具有由弹性膜形成的多个压力室，通过所述多个压力室将所述晶片按压至研磨面；及动作控制部，该动作控制部控制所述研磨装置的动作，所述多个压力室包含：第一压力室；第二压力室，该第二压力室位于所述第一压力室的外侧；及第三压力室，该第三压力室位于所述第二压力室的外侧，所述动作控制部构成为以如下方式使所述研磨装置进行动作：在所述第一压力室内形成正压且在所述第二压力室内形成负压，使存在于所述晶片的上表面与所述第一压力室之间的流体向外侧移动，之后，在所述第二压力室内形成正压且在所述第三压力室内形成负压，使存在于所述晶片的所述上表面与所述第二压力室之间的所述流体向外侧移动，在所述多个压力室中的位于最外侧的压力室内形成正压，使存在于所述晶片的所述上表面与所述位于最外侧的压力室之间的所述流体向外侧移动，而使所述流体从所述晶片的所述上表面流出，之后，用所述弹性膜将所述晶片的下表面按压至研磨面，来研磨所述晶片的所述下表面。
11、在一方式中，所述动作控制部构成为，以如下方式使所述研磨装置进行动作：所述动作控制部在所述第一压力室内开始形成所述正压的时刻与所述动作控制部在所述第二压力室内开始形成所述负压的时刻相同，以如下方式使所述研磨装置进行动作：所述动作控制部在所述第二压力室内开始形成所述正压的时刻与所述动作控制部在所述第三压力室内开始形成所述负压的时刻相同。
12、在一方式中，所述动作控制部构成为，以如下方式使所述研磨装置进行动作：在所述第二压力室内形成所述负压包含将所述第二压力室内的压力下降至负压设定值，之后，将所述第二压力室向大气开放，以如下方式使所述研磨装置进行动作：在所述第三压力室内形成所述负压包含将所述第三压力室内的压力下降至负压设定值，之后，将所述第三压力室向大气开放。
13、在一方式中，所述动作控制部构成为，以如下方式使所述研磨装置进行动作：在所述第二压力室本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种研磨方法，使用具有多个压力室的研磨头来研磨晶片，所述多个压力室由弹性膜形成，其特征在于，
2.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
3.如权利要求2所述的研磨方法，其中，
4.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
5.如权利要求4所述的研磨方法，其中，
6.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨方法，其中，
8.一种研磨装置，研磨晶片，其特征在于，具备：
9.如权利要求8所述的研磨装置，其中，
10.如权利要求9所述的研磨装置，其中，
11.如权利要求8所述的研磨装置，其中，
12.如权利要求11所述的研磨装置，其中，
13.如权利要求8所述的研磨装置，其中，
14.如权利要求8～13中任一项所述的研磨装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种研磨方法，使用具有多个压力室的研磨头来研磨晶片，所述多个压力室由弹性膜形成，其特征在于，
2.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
3.如权利要求2所述的研磨方法，其中，
4.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
5.如权利要求4所述的研磨方法，其中，
6.如权利要求1所述的研磨方法，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的研磨方...
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