【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种耐等离子体构件。更具体地，本公开涉及一种具有堆叠结构的耐等离子体构件和一种用于制造该耐等离子体构件的方法。
技术介绍
1、当制造诸如半导体装置的电子装置时，广泛采用使用等离子体的工艺(诸如使用等离子体的蚀刻、使用等离子体的气相沉积等)。
2、在使用等离子体的工艺中，产生高化学活性的自由基和离解离子，这可能物理/化学损坏暴露于等离子体的部件。因此，使用在组件的表面上形成陶瓷涂层的方法(诸如等离子喷涂)。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种能够抑制污染物颗粒和表面裂纹的产生的具有堆叠结构的耐等离子体构件。
2、本公开的另一目的是提供一种用于制造耐等离子体构件的方法。
3、为了实现本公开的上述目的，根据本公开的示例实施例的耐等离子体构件包括设置在基底上并且包括氧化钇的下层、设置在下层上的缓冲层、以及设置在缓冲层上并且包括氟氧化钇或富氟氧化钇的上层，其中，缓冲层的热膨胀系数处于上层的热膨胀系数与下层的热膨胀系数之间。
4、在根据本公开的示例实施例的用于制造耐等离子体构件以实现上述目的的方法中，可以在基底上沉积包括氧化钇的下层，可以在下层上沉积缓冲层，并且可以在缓冲层上沉积包括氟氧化钇或富氟氧化钇的上层。缓冲层的热膨胀系数可以处于上层的热膨胀系数与下层的热膨胀系数之间。
5、根据示例实施例，可以通过气相沉积形成具有耐等离子体的堆叠结构。因此，该堆叠结构可以具有比通过喷涂形成的常规耐等离子体涂层致密的结构，而无需用
6、此外，堆叠结构的上层可以包括氟氧化钇或富氟氧化钇，由此抑制污染物颗粒的产生并且减少腔室中等离子体组成的变化。
7、此外，堆叠结构包括设置在上层与下层之间的缓冲层，从而改善上层的质量。因此，可以降低上层的表面粗糙度，并且可以抑制裂纹产生。
8、然而，本公开不限于上述效果，而是可以在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种扩展。
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1.一种耐等离子体构件，所述耐等离子体构件包括：
2.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，下层、缓冲层和上层是通过气相沉积形成的。
3.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层的热膨胀系数为10×10-6℃-1至15×10-6℃-1。
4.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层包括从由氧化钇稳定的氧化锆、氧化镁和锆酸镧组成的组中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层包括与下层相邻的第一缓冲层和设置在第一缓冲层上并且与上层相邻的第二缓冲层，并且其中，第二缓冲层的热膨胀系数大于第一缓冲层的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，并且第二缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
7.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆，并且第二缓冲层包括氧化镁。
8.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层还包括设置在第一缓冲层与第二缓冲层之间的第三缓冲层，并且其中，第三缓冲层的热膨胀系
9.根据权利要求8所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，第二缓冲层包括氧化镁，并且第三缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
10.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，下层、缓冲层和上层中的每者具有0.1μm至100μm的厚度。
11.一种用于制造耐等离子体构件的方法，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，用于下层、缓冲层和上层的蒸发源通过电子束蒸发。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，缓冲层包括从由氧化钇稳定的氧化锆、氧化镁和锆酸镧组成的组中选择的至少一种。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，缓冲层包括与下层相邻的第一缓冲层和设置在第一缓冲层上并与上层相邻的第二缓冲层，并且其中，第二缓冲层的热膨胀系数大于所述第一缓冲层的热膨胀系数。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，并且第二缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，第一缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆，并且第二缓冲层包括氧化镁。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，缓冲层还包括设置在第一缓冲层与第二缓冲层之间的第三缓冲层，并且其中，第三缓冲层的热膨胀系数大于第一缓冲层的热膨胀系数且小于第二缓冲层的热膨胀系数。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，第二缓冲层包括氧化镁，并且第三缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，下层、缓冲层和上层中的每者的厚度为0.1μm至100μm。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述方法还包括：当沉积下层、缓冲层或上层时，在包括工艺腔室的设备中进行耐等离子体构件的制造，其中，工艺腔室的真空度为0.01毫托至1毫托，沉积速率为10nm/min至200nm/min，并且在工艺腔室中以1sccm至1,000sccm的流速提供氧气。
...【技术特征摘要】
1.一种耐等离子体构件，所述耐等离子体构件包括：
2.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，下层、缓冲层和上层是通过气相沉积形成的。
3.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层的热膨胀系数为10×10-6℃-1至15×10-6℃-1。
4.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层包括从由氧化钇稳定的氧化锆、氧化镁和锆酸镧组成的组中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层包括与下层相邻的第一缓冲层和设置在第一缓冲层上并且与上层相邻的第二缓冲层，并且其中，第二缓冲层的热膨胀系数大于第一缓冲层的热膨胀系数。
6.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，并且第二缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
7.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆，并且第二缓冲层包括氧化镁。
8.根据权利要求5所述的耐等离子体构件，其中，缓冲层还包括设置在第一缓冲层与第二缓冲层之间的第三缓冲层，并且其中，第三缓冲层的热膨胀系数大于第一缓冲层的热膨胀系数且小于第二缓冲层的热膨胀系数。
9.根据权利要求8所述的耐等离子体构件，其中，第一缓冲层包括锆酸镧，第二缓冲层包括氧化镁，并且第三缓冲层包括氧化钇稳定的氧化锆。
10.根据权利要求1所述的耐等离子体构件，其中，下层、缓冲层和上层中的每者具有0.1μm至100μm的厚度。
11.一种用于制造耐等离子体构件的方法，所述方法包括：
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