【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
半导体器件的小型化正在作出显著进步。小型化有助于多层配线结构。多层配线 结构伴有经由层间介电膜在上线与下线之间寄生的电容(称为线到线电容)。图像传感器 (具体地说，CMOS图像传感器)需要缩短从每一像素中光电转换元件的光接收表面到光电 转换元件之上的微透镜的距离，以防止当像素节距减少时的光学特性恶化。为此，在光电转 换元件与微透镜之间插入的层间介电膜变得更薄，从而增加了线到线电容。为了解决这个问题，日本专利特开No. 5-36841描述了第一层配线结构4周围的空 间6的形成。更具体地说，在形成第一层配线结构4之后，SiN膜1被形成，以覆盖第一层 配线结构4。此外，SiO2膜2被形成，以覆盖SiN膜1。小孔7在第一层配线结构4之上的 部分处形成在SiO2膜2中。使用CF4/02气体混合物，通过小孔7进行干法蚀刻，空间6形 成在第一层配线结构4周围。旋涂玻璃膜3于是被形成并被烧结，以覆盖SiO2膜2。此时， 旋涂玻璃膜3因高表面张力而不通过小孔7进入空间6。因此，在保持第一层配线结构4周 围的空间6的同时，小孔7可以闭合。根据日本专...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基板；以及多层配线结构，被布置在所述半导体基板上，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，被布置在所述绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些区域中具有间隙，以及所述间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。
【技术特征摘要】
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