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本发明公开了一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。该半导体器件包括：半导体基板和布置在所述半导体基板上的多层配线结构，所述多层配线结构包括：多个第一导电线；绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及第二导电线，布置在绝缘膜上，从而与所述多个...
该专利属于佳能株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过佳能株式会社授权不得商用。

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