【技术实现步骤摘要】
所属的技术人员，在不脱离本专利技术的精神和范围间，当可作各种的改变或替换，因此所有的这些改变或替换都应涵盖于本专利技术所附权利要求的保护范围之内。【符号说明】10:存储器元件110:半导体基板111:顶面120:隔离结构121:顶面122:部分122a:永久导电路径124:沟槽130:第一电极131:顶面133:底面140:第二电极141:顶面143:底面150:第一接触152:底部分153:底面154:顶部分160:第二接触162:底部分163:底面164:顶部分170:介电层172:第一部分174:第二部分af:反熔丝结构d1:距离d1:第一方向d2:第二方向h1:高度h2:高度o1:开口o2:开口o3:开口o4:开口t1:厚度t2:厚度v1:第一电压v2:第二电压2-2:线。
技术介绍
1、半导体存储器元件可以分为两类，挥发性存储器元件与非挥发性存储器元件。相较于挥发性存储器元件，非挥发性存储器元件的信息即使在断电的情况下也得以保存。对于非挥发性存储器元件，一些设计允许多次编程，而另一些设计允许一次性编程。通常，用于形成非挥发性存储器元件的制造技术与标准逻辑工艺不同，这大幅度地增加复杂性与芯片尺寸。
技术实现思路
1、本专利技术的技术态样为一种存储器元件。
2、根据本专利技术的一些实施方式，一种存储器元件包括半导体基板、隔离结构以及反熔丝结构。隔离结构位于半导体基板中。反熔丝结构位于隔离结构中，反熔丝结构包括第一电极与第二电极。第二电极邻接第一电极，其中第一电极的
3、在本专利技术一些实施方式中，存储器元件还包括第一接触与第二接触。第一接触位于第一电极上。第二接触位于第二电极上。
4、在本专利技术一些实施方式中，第一接触的底面与第二接触的底面皆在半导体基板的顶面下方。
5、在本专利技术一些实施方式中，存储器元件还包括介电层，位于半导体基板与隔离结构上。
6、在本专利技术一些实施方式中，第一接触包括位于隔离结构中的底部分以及位于介电层中的顶部分。
7、在本专利技术一些实施方式中，第一接触配置以施加第一电压到第一电极，第二接触配置以施加与第一电压不同的第二电压到第二电极，以将在第一电极与第二电极之间的隔离结构的一部分转换成永久导电路径。
8、在本专利技术一些实施方式中，第一电极的顶面与第二电极的顶面皆在隔离结构的顶面下方。
9、在本专利技术一些实施方式中，第一电极的顶面与第二电极的顶面实质上共面。
10、在本专利技术一些实施方式中，第一电极的底面与第二电极的底面实质上共面。
11、在本专利技术一些实施方式中，在俯视图中，第一电极沿第一方向延伸，且第一电极与第二电极沿垂直于第一方向的第二方向彼此平行排列。
12、在本专利技术一些实施方式中，在俯视图中，第一电极具有条形轮廓。
13、在本专利技术一些实施方式中，第一电极与第二电极包括相同材料。
14、本专利技术的另一技术态样为一种形成存储器元件的方法。
15、根据本专利技术的一些实施方式，一种形成存储器元件的方法包括形成隔离结构于半导体基板中。蚀刻隔离结构，以形成第一开口与第二开口。分别形成反熔丝结构的第一电极与第二电极于第一开口与第二开口中，使得第一电极的顶面与第二电极的顶面皆在隔离结构的顶面下方。形成介电层于隔离结构上。施加第一电压到第一电极及施加与第一电压不同的第二电压到第二电极，以将在第一电极与第二电极之间的隔离结构的一部分转换成永久导电路径。
16、在本专利技术一些实施方式中，形成存储器元件的方法还包括形成第一接触与第二接触于介电层中，使得第一电压通过第一接触施加到第一电极，第二电压通过第二接触施加到第二电极。
17、在本专利技术一些实施方式中，形成第一接触与第二接触，使得第一接触的一部分与第二接触的一部分形成于隔离结构内。
18、在本专利技术一些实施方式中，形成第一接触与第二接触，使得第一电极的顶面与第二电极的顶面分别接触第一接触与第二接触。
19、在本专利技术一些实施方式中，形成第一电极与第二电极，还使得第一电极的顶面与第二电极的顶面皆在半导体基板的顶面下方。
20、在本专利技术一些实施方式中，形成第一电极与第二电极，使得第一电极与第二电极接触隔离结构。
21、在本专利技术一些实施方式中，形成第一电极与第二电极，使得第一电极的底面与第二电极的底面实质上共面。
22、在本专利技术一些实施方式中，形成隔离结构于半导体基板中包括形成沟槽于半导体基板中，以及填充反熔丝介电材料于沟槽中，以形成隔离结构。
23、在上述实施方式中，由于第一电极的顶面与第二电极的顶面皆在半导体基板的顶面下方，可以减少存储器元件的尺寸。此外，可以简化存储器元件的制造工艺。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种存储器元件，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中，还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一接触的底面与该第二接触的底面皆在该半导体基板的该顶面下方。
4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中，还包含：
5.根据权利要求4所述的存储器元件，其中该第一接触包含位于该隔离结构中的底部分以及位于该介电层中的顶部分。
6.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一接触配置以施加第一电压到该第一电极，该第二接触配置以施加与该第一电压不同的第二电压到该第二电极，以将在该第一电极与该第二电极之间的该隔离结构的一部分转换成永久导电路径。
7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面皆在该隔离结构的顶面下方。
8.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面实质上共面。
9.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的一底面与该第二电极的底面实质上共面。
10.根据权利要求1所述
11.根据权利要求1所述的存储器元件，其中在俯视图中，该第一电极具有条形轮廓。
12.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极与该第二电极包含相同材料。
13.一种形成存储器元件的方法，其特征在于，包含：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，还包含：
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成该第一接触与该第二接触，使得该第一接触的一部分与该第二接触的一部分形成于该隔离结构内。
16.根据权利要求14所述的方法，其中形成该第一接触与该第二接触，使得该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面分别接触该第一接触与该第二接触。
17.根据权利要求13所述的方法，其中形成该第一电极与该第二电极，还使得该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面皆在该半导体基板的顶面下方。
18.根据权利要求13所述的方法，其中形成该第一电极与该第二电极，使得该第一电极与该第二电极接触该隔离结构。
19.根据权利要求13所述的方法，其中形成该第一电极与该第二电极，使得该第一电极的底面与该第二电极的底面实质上共面。
20.根据权利要求13所述的方法，其中形成该隔离结构于该半导体基板中包含：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器元件，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中，还包含：
3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一接触的底面与该第二接触的底面皆在该半导体基板的该顶面下方。
4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中，还包含：
5.根据权利要求4所述的存储器元件，其中该第一接触包含位于该隔离结构中的底部分以及位于该介电层中的顶部分。
6.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一接触配置以施加第一电压到该第一电极，该第二接触配置以施加与该第一电压不同的第二电压到该第二电极，以将在该第一电极与该第二电极之间的该隔离结构的一部分转换成永久导电路径。
7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面皆在该隔离结构的顶面下方。
8.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的该顶面与该第二电极的该顶面实质上共面。
9.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电极的一底面与该第二电极的底面实质上共面。
10.根据权利要求1所述的存储器元件，其中在俯视图中，该第一电极沿第一方向延伸，且该第一电极与该第二电极沿垂直于该第一方向的第二方向彼此平...
【专利技术属性】
技术研发人员：张锦标，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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