【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及一种制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线 的方法。
技术介绍
半导体行业总是期望获得集成度更高的集成电路产品，为提高集成电路的集成度，就要不断缩小关键尺寸CD。在晶圆上制作电学元件、电学线路离不开光刻技术。光刻技术利用紫外光将掩模 版上的电路结构图案复制到晶圆表面上的光刻胶上，再通过光刻显影将光刻胶中的电路结 构图案显现出来，然后用化学刻蚀工艺把电路结构图案成像在光刻胶下面的晶圆上，由此 可见，成像到晶圆上的电路结构的关键尺寸CD的大小与光刻技术密切相关。涂在晶圆表面上的光刻胶的厚度影响关键尺寸CD的大小，要获得某一大小的关 键尺寸CD需要在晶圆表面上涂上恰当厚度的光刻胶，另外，受涂胶工艺条件的限制，涂在 晶圆表面上的光刻胶的厚度要兼顾光刻胶质量和关键尺寸大小，因此，在半导体制造业中， 先制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线，再由该关系曲线决定最终光刻胶的厚度。现有技术中是如图1所示，在多个测试片(monitor wafer) la、lb、lc、......、ln的表面上分别涂上厚度不同的光刻胶，即对同一个测试片而言，其表面上涂覆...
【技术保护点】
一种制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法，其特征在于，包括以下步骤：在一个晶圆的表面上涂上厚度不均匀的光刻胶；将涂覆有光刻胶的晶圆表面划分成多个区域，同一区域内，光刻胶的厚度相同；对所述晶圆表面的各个区域进行逐个曝光，将掩模版上的图案逐个复制到所述各个区域的光刻胶上；通过显影，在所述晶圆的表面上显现出测量光刻胶厚度及测量关键尺寸大小的图案；测量所述晶圆表面各个区域的光刻胶厚度及对应厚度下的关键尺寸的大小，制作光刻胶厚度与关键尺寸的关系曲线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：于世瑞，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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