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本发明的制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法包括以下步骤：在一个晶圆的表面上涂上厚度不均匀的光刻胶；将涂覆有光刻胶的晶圆表面划分成多个区域，同一区域内，光刻胶的厚度相同；对所述晶圆表面的各个区域进行逐个曝光，将掩模版上的图案逐个复制到所述...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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