【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构和存储器。
技术介绍
1、在存储器中，灵敏放大电路(sensing amplifier，sa)是重要的功能器件，能够将存储单元输出的数据信号进行放大并进行输出，或者将外部信号进行放大并写入存储单元。灵敏放大电路由一对p型晶体管(称为psa)和一对n型晶体管(称为nsa)构成。然而，在工艺制造的过程中，psa存在一些偏离或者失配问题，降低了灵敏放大电路的性能。
技术实现思路
1、本公开提供了一种半导体结构和存储器，能够提高交叉耦合结构中的晶体管的对称性，改善晶体管失配引起的噪声，提高信号放大性能。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
3、第一有源区；
4、位于所述第一有源区上方的第一栅极，且所述第一有源区和所述第一栅极用于形成第一晶体管；
5、第二有源区，且所述第二有源区与所述第一有源区沿第一方向排列，所述第二有源区和所述第一有源区相互独立；
6、位于所述第二有源区上方的第二栅极，且所述第二有源区和所述第二栅极用于形成第二晶体管；
7、其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的尺寸相同，所述第一晶体管的电性参数和所述第二晶体管的电性参数的偏差处于预设阈值内，所述第一晶体管和所述第二晶体管属于一个交叉耦合放大单元。
8、在一些实施例中，所述第一栅极的形状与所述第二栅极的形状相同；在第一方向上，所述第一栅极的上边缘高于所述第一有源区
9、在一些实施例中，在第一方向上，所述第一有源区的上边缘与所述第一栅极的上边缘之间的高度差为第一值，所述第二有源区的上边缘与所述第二栅极的上边缘之间的高度差为第二值；其中，所述第一值与所述第二值相同；所述第一有源区的下边缘与所述第一栅极的下边缘之间的高度差为第三值，所述第二有源区的下边缘与所述第二栅极的下边缘之间的高度差为第四值；其中，所述第三值与所述第四值相同。
10、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述第一有源区的第一接触区；位于所述第一有源区的第二接触区，且所述第一接触区、所述第一栅极和所述第二接触区沿第二方向依次排列；位于所述第二有源区的第三接触区；位于所述第二有源区的第四接触区，且所述第三接触区、所述第二栅极和所述第四接触区沿第二方向依次排列。
11、在一些实施例中，在第二方向上，所述第一接触区与所述第一栅极之间的距离为第五值，所述第三接触区与所述第二栅极之间的距离为第六值，且所述第五值和所述第六值相同；所述第二接触区与所述第一栅极之间的距离为第七值，第四接触区与所述第二栅极之间的距离为第八值，且所述第七值和所述第八值相同。
12、在一些实施例中，在第一方向上，所述第二接触区的上边缘与所述第一接触区的上边缘平齐，且所述第二接触区的下边缘低于所述第一接触区的下边缘；所述第四接触区的下边缘与所述第三接触区的下边缘平齐，且所述第四接触区的上边缘高于所述第三接触区的上边缘。
13、在一些实施例中，在第一方向上，所述第二接触区的上边缘高于所述第一接触区的上边缘，且所述第二接触区的下边缘低于所述第一接触区的下边缘；所述第四接触区的上边缘高于所述第三接触区的上边缘，且所述第四接触区的下边缘低于所述第三接触区的下边缘。
14、在一些实施例中，在第一方向上，所述第一接触区的上边缘与所述第二接触区的上边缘之间的距离为第九值；所述第三接触区的上边缘与所述第四接触区的上边缘之间的距离为第十值；其中，所述第九值与所述第十值相同；所述第一接触区的下边缘与所述第二接触区的下边缘之间的距离为第十一值，所述第三接触区的下边缘与所述第四接触区的下边缘之间的距离为第十二值；其中，所述第十一值与所述第十二值相同。
15、在一些实施例中，所述第九值、所述第十值、所述第十一值和所述第十二值均相同。
16、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述第一有源区上方的第三栅极，且所述第三栅极设置在所述第二接触区远离所述第一栅极的一侧；其中，所述第一有源区和所述第三栅极用于形成第三晶体管；位于所述第二有源区上方的第四栅极，且所述第四栅极设置在所述第四接触区远离所述第二栅极的一侧；其中，所述第二有源区和所述第四栅极用于形成第四晶体管；其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管属于另一个交叉耦合放大单元。
17、在一些实施例中，所述半导体结构还包括：位于所述第一有源区的第五接触区，且所述第五接触区设置于所述第三栅极远离所述第二接触区的一侧；位于所述第二有源区的第六接触区，且所述第六接触区设置于所述第四栅极远离所述第四接触区的一侧。
18、在一些实施例中，所述第一接触区和所述第五接触区的形状相同，所述第三接触区和所述第六接触区的形状相同；在第一方向上，所述第一接触区和所述第五接触区的中心点处于同一位置，所述第三接触区和所述第六接触区的中心点处于同一位置；所述第一栅极和所述第三栅极关于所述第二接触区呈中心对称；所述第二栅极和所述第四栅极关于第五接触区呈中心对称。
19、在一些实施例中，所述第一有源区、所述第二有源区、所述第一栅极～第四栅极、所述第一接触区～所述第六接触区共同构成一个重复单元，且多个重复单元沿第二方向排列；所述第一栅极的与处于同一重复单元的第三栅极之间的距离为第十三值，所述第一栅极的与处于相邻重复单元的第三栅极之间的距离为第十四值；所述第二栅极的与处于同一重复单元的第四栅极之间的距离为第十五值，所述第二栅极的与处于相邻重复单元的第四栅极之间的距离为第十六值；其中，所述第十三值、所述第十四值、所述第十五值、所述第十六值均相同。
20、在一些实施例中，所述第一栅极设置有第七接触区，所述第二栅极设置有第八接触区，所述第三栅极设置有第九接触区，所述第四栅极设置有第十接触区；其中，所述第七接触区和所述第十接触区呈现中心对称，所述第八接触区和所述第九接触区呈现中心对称。
21、第二方面，本公开实施例提供了一种存储器，包括如第一方面所述的半导体结构。
22、本公开实施例提供了一种半导体结构和存储器，该半导体结构包括：第一有源区；位于第一有源区上方的第一栅极，且第一有源区和第一栅极用于形成第一晶体管；第二有源区，且第二有源区与第一有源区沿第一方向排列，第二有源区和第一有源区相互独立；位于第二有源区上方的第二栅极，且第二有源区和第二栅极用于形成第二晶体管；其中，第一晶体管和第二晶体管的尺寸相同，第一晶体管的电性参数和第二晶体管的电性参数的偏差处于预设阈值内，第一晶体管和第二晶体管属于一个交叉耦合放大单元。这样，由于第一有源区和第二有源区相互独立，对第一晶体管和第二晶体管来说，其栅极和有源区交叠的面积、形状较为接近，提高了第一晶体管和第二晶体管的对称性，两者之间本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极的形状与所述第二栅极的形状相同；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，
10.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一有源区、所述第二有源区、所述第一栅极～第四栅极、所述第一接触区～所
14.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极设置有第七接触区，所述第二栅极设置有第八接触区，所述第三栅极设置有第九接触区，所述第四栅极设置有第十接触区；其中，
15.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的半导体结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极的形状与所述第二栅极的形状相同；
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，
10.根据权利要求4所述的半导体结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：王翔宇，李宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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