具有纳米孔结构的氧化铪粉体的制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有纳米孔结构的氧化铪粉体的制备方法，属于纳米粉体材料领域。其特征在于：采用固相法，以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比１∶２～４将两者混合，球磨均匀，然后在５００～８００℃煅烧２ｈ，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体，孔径为５０～１００ｎｍ，氧化铪颗粒为２０～１００ｎｍ。本发明专利技术工艺简单，操作安全，效率高，合成的纳米氧化铪粉体具有较大的比表面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，属于纳米粉体材料领 域。
技术介绍
目前，氧化铪材料已被用于快离子导体燃料电池、氧传感器、红外窗口保护膜、原 子反应堆的控制棒、催化剂等领域。其中HfO2溅射薄膜由于具有高介电常数、高介电强度、 低介电损耗、低漏电流及良好的电容-电压特性、良好的稳定性以及能与基体硅的牢固结 合等优点，被认为是最有前途的新型绝缘介质膜之一。二氧化铪用作催化剂时，若赋予其发 达的孔隙结构不仅有利于电荷在相间的传递，改善其电荷传导性能，同时，也可以减小反应 物分子或产物分子在催化剂中的扩散阻力，改善其催化反应性能。但常规的二氧化铪热稳 定性差、比表面小、孔隙欠发达，孔径大小变化无规律等，限制了其优良性能的发挥。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种工艺简单、操作安全、不造成污染、具有纳米孔结构的氧 化铪粉体的制备方法，其技术方案为采用固相法，以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1 2 4将两者混合，球磨 均勻，然后在500 800°C煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体，孔径为50 lOOnm， 氧化铪颗粒为20 lOOnm。本专利技术与现有技术相比，具有如下优点1、本专利技术采用固相反应法合成纳米孔结构的氧化铪粉体，效率高，操作简单，安 全；2、本专利技术制备的氧化铪粉体具有三维网络结构及均勻的纳米孔洞，使其具有较大 的比表面积；3、本专利技术制备的氧化铪粉体具有三维网络结构，其骨架为20 IOOnm的氧化铪颗 粒，纳米颗粒具有较高的分散性。附图说明图1是本专利技术实施例在700 0C煅烧后的XRD谱；图2是本专利技术实施例在700 V煅烧后的SEM照片。具体实施例方式实施例1以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1 2将两者混合，球磨均勻，然后在700°C 煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体。通过XRD测试，可见粉体晶体类型为单斜相(见图1)；通过SEM测试，可见氧化铪粉体具有三维网络，孔径为50 lOOnm，骨架颗粒为20 100nm(见图2)。实施例2以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1 3将两者混合，球磨均勻，然后在500°C 煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体。实施例3以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1 4将两者混合，球磨均勻，然后在800°C 煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体。权利要求一种，其特征在于采用固相法，以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1∶2～4将两者混合，球磨均匀，然后在500～800℃煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体，孔径为50～100nm，氧化铪颗粒为20～100nm。全文摘要本专利技术提供一种，属于纳米粉体材料领域。其特征在于采用固相法，以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比1∶2～4将两者混合，球磨均匀，然后在500～800℃煅烧2h，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体，孔径为50～100nm，氧化铪颗粒为20～100nm。本专利技术工艺简单，操作安全，效率高，合成的纳米氧化铪粉体具有较大的比表面积。文档编号C01G27/02GK101823766SQ20101018256公开日2010年9月8日 申请日期2010年5月17日 优先权日2010年5月17日专利技术者冯柳, 周立娟, 孟凡涛, 田贵山, 魏春城 申请人:山东理工大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有纳米孔结构的氧化铪粉体的制备方法，其特征在于：采用固相法，以四氯化铪和苯甲酸为原料，按摩尔比１∶２～４将两者混合，球磨均匀，然后在５００～８００℃煅烧２ｈ，即得具有纳米孔结构的氧化铪粉体，孔径为５０～１００ｎｍ，氧化铪颗粒为２０～１００ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏春城，田贵山，冯柳，孟凡涛，周立娟，
申请(专利权)人：山东理工大学，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]