一种以四氯化硅为硅源制备超长ＳｉＣ纳米线的方法技术

本发明专利技术公开了以四氯化硅为硅源制备超长ＳｉＣ纳米线的方法。本发明专利技术以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料，在碳质材料粉体的表面生成原硅酸，高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中，并用盖子将坩埚盖好后放入高温真空烧结炉中，抽真空并充入氩气保护气，然后加热到１２００～１７００℃，保持高温一段时间后关掉电源。冷却后取出石墨坩锅，得到棉花状淡绿色产物。将产物采用Ｘ射线衍射分析产物的相组成，场发射扫描电镜观察其形貌，用透射电镜分析其微结构。本发明专利技术制备的超长ＳｉＣ纳米线为单晶β－ＳｉＣ相，纳米线直径为５０－２００纳米，长度为１－１０毫米。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及SiC纳米线的方法，尤其是涉及一种以四氯化硅为硅源制备超长SiC 纳米线的方法。
技术介绍
近年来，超长的半导体纳米线由于其在纳米光电子器件领域具有独特的应用，受 到研究者的关注。例如，美国的Lieber研究团队合成了超长的Si纳米线并制备了场效应 晶体管阵列(W. Park, G. Zheng, X. Jiang, B. Tian, and C. Μ. Lieber, Nano Lett. 2008,8 (9) 3004-3009)。碳化硅是第三代宽带隙高温半导体材料之一，具有宽的带隙宽度，高的临界 击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，化学稳定 性能好、机械性能高等许多优良的特性。超长SiC纳米线的合成也受到研究者的关注，如 Cai等以二茂铁为催化剂，通过聚二甲基硅氧烷高温分解制备了超长的SiC/Si02纳米电缆 (K. F. Cail, Α. X. Zhang and J. L. Yin, Nanotechnology 2007，18 485601)。Li 等以聚合物 先驱体为原料，通过化学气相沉积路线制备了厘米长的SiC纳米线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以四氯化硅为硅源制备超长ＳｉＣ纳米线的方法，其特征在于：先将碳质材料粉体分散于碱性溶液或直接分散在水中，然后在搅拌的情况下，滴加四氯化硅后，过滤得到含碳质材料粉体与原硅酸的混合物；然后用去离子水洗涤混合物，再将原硅酸的混合物加热使原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物；将所述加热后的混合物放入石墨坩埚中，并用盖子将坩埚盖好，放入高温真空烧结炉中，抽真空到０．１～２０Ｐａ，然后充入氩气保护气，然后加热升温到１２００～１７００℃，保持高温０．５～１０小时后关掉电源；冷却后取出石墨坩锅，坩埚内部充有棉花状淡绿色产物；产物为长度为１－１０毫米的单晶β－ＳｉＣ纳米线，纳米线直径为５０－２０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建军，石强，高林辉，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]