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本发明公开了以四氯化硅为硅源制备超长ＳｉＣ纳米线的方法。本发明以四氯化硅、碳质材料粉体、水或碱性溶液为原料，在碳质材料粉体的表面生成原硅酸，高温下原硅酸分解获得二氧化硅与碳质材料粉体的均匀混合物。将混合物放入石墨坩埚中，并用盖子将坩埚盖好后...
该专利属于浙江理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学授权不得商用。

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