【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶片的制造方法。
技术介绍
1、已知线切割机作为从由si(硅)构成的si锭或化合物半导体锭等切出晶片的装置。线切割机是如下的装置：在多个辊的周围卷绕多个切断用线从而形成线列，将该切断用线对锭进行切入进给从而在线位置进行切断(例如，参照专利文献1)。
2、但是，线切割机的切割损耗为300μm左右，是比较大的，另外，为了使切断后的表面平坦化，需要进行研磨、蚀刻、抛光，因此能够用作晶片的原材料量为原本的锭的1/3左右，存在生产性差的课题。因此，本申请人等开发了通过激光束的照射从si锭高效地制造si基板的方法(例如，参照专利文献2)。
3、专利文献1：日本特开平9-262826号公报
4、专利文献2：日本特开2022-25566号公报
5、专利文献2的方法虽然能够降低材料损耗，但存在因单张加工导致产量(throughput)降低的问题。
技术实现思路
1、因此，本专利技术的目的在于提供晶片的制造方法，能够降低材料损耗并且提高产量。
2、根据本专利技术的一个方式，提供晶片的制造方法，从具有第1面和位于该第1面的相反侧的第2面的锭制造晶片，其中，该晶片的制造方法具有如下的步骤：整面加工步骤，该整面加工步骤反复进行分离起点形成步骤和分度进给步骤，其中，该分离起点形成步骤在将透过构成该锭的材料的波长的激光束的聚光点从该第1面侧定位于该锭的内部的状态下，使该聚光点和该锭沿着规定的加工进给方向相对地移动，由此在与该第1面平行的平
3、在该锭的深度方向上形成的多个该聚光点可以沿着该加工进给方向的行进方向配置于不同的位置，以便按照从配置于最深位置的该聚光点到配置于浅位置的该聚光点的顺序依次进行加工。
4、该锭可以是使晶面{100}为平坦面的单晶硅锭，该分离起点形成步骤中的该规定的加工进给方向是与晶向＜100＞平行的方向。
5、该锭可以是使晶面{0001}为平坦面的单晶氮化镓锭，该分离起点形成步骤中的该规定的加工进给方向是与晶向＜11-20＞平行的方向。
6、根据本专利技术的一个方面，能够在降低材料损耗的同时提高产量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种晶片的制造方法，从具有第1面和位于该第1面的相反侧的第2面的锭制造晶片，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，
4.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种晶片的制造方法，从具有第1面和位于该第1面的相反侧的第2面的锭制造晶片，其中，
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法...
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