【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种在绝缘硅基片(SOI)上采用低温工艺形成电学隔 离区的方法、在 绝缘硅基片上采用低温工艺形成电学隔离区而将微机电器件与集成电路器件单片集成的 方法、以及在绝缘硅基片上采用低温工艺形成电学隔离区而形成的微机电器件与集成电路 器件单片集成芯片。
技术介绍
微机电系统(MEMS)是近年来高速发展的一项高新技术，它采用先进的半导体制 备工艺，来实现MEMS器件的批量制备。与传统制作技术相比，MEMS技术制作的器件在体积、 功耗、重量以及价格等方面有十分明显的优势。目前，MEMS器件和集成电路(IC)通常由不同的厂商依其各自的制备流程在不同 的基片上独立完成器件制作，然后再混合封装完成集成化以得到相应的完整系统。该种方 法好处是制备工艺难度小，MEMS器件设计和制备可以单独优化，因此该种方法在很多领域 得到了广泛应用，例如压阻型传感器等。然而对于某些易受干扰的应用，例如高阻抗输出的 压电和电容等类型的传感器，将MEMS器件和集成电路单片集成更有优势，可有效降低干扰 噪声影响及显著提高器件整体性能。实现MEMS器件和集成电路单片集成的制造方法有三种第一，先...
【技术保护点】
一种微机电器件与集成电路器件单片集成芯片，其特征在于包括：绝缘硅基片，其具有的器件层开设有隔离槽以将所述绝缘硅基片分隔为多个电学隔离区；集成电路区，包括在所述隔离槽一侧的电学隔离区生成的集成电路器件；金属互连区，其包括在所述集成电路区开设的第一连接孔、在所述隔离槽另一侧的电学隔离区开设的第二连接孔、在所述第一连接孔及第二连接孔之间的所述绝缘硅基片的器件层表面采用低于４００℃的低温工艺生成的跨越所述隔离槽的绝缘介质层、及在所述绝缘介质层上生成的将所述第一连接孔及第二连接孔连通的金属互连线；微机电区，包括在所述隔离槽另一侧的电学隔离区生成的微机电器件。
【技术特征摘要】
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