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一种采用低温工艺形成电学隔离区方法、单片集成方法及芯片，其首先采用湿法腐蚀、等离子干法刻蚀或深槽反应离子刻蚀法将一绝缘硅基片具有的器件层相应部分腐蚀以形成相应隔离槽，并由隔离槽将基片分隔为多个电学隔离区，接着再在器件层上采用低于４００℃的低...
该专利属于李刚;胡维所有，仅供学习研究参考，未经过李刚;胡维授权不得商用。

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