一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS及制备方法技术

本发明专利技术提供一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS及制备方法，该SiC UMOS包括：埋P层和N‑drift层；所述N‑drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N‑drift层的第二部分位于所述N‑drift层的第一部分的上方并与所述埋P层邻接；所述埋P层位于N‑drift层第二部分的两侧。本发明专利技术利用在N‑drift层两侧的埋P层来减小沟槽底部拐角处的电场强度，并且还增加了HK介质层和CSL层，用于平滑电场和减小SiC UMOS的导通电阻，解决了现有技术中采用P+屏蔽层保护栅极氧化层的同时提高了导通电阻的缺点，本发明专利技术在保护栅极氧化层的同时具有较低的导通电阻，提升了SiC UMOS的电流密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sicumos及制备方法。

技术介绍

1、栅极氧化物是将mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅极端子与下面的源极和漏极端子以及晶体管导通时连接源极和漏极的导电通道分开的介电层.栅氧化层是通过热氧化沟道的硅形成薄的二氧化硅绝缘层。绝缘二氧化硅层是通过自限氧化过程形成的。随后在栅极氧化物上方沉积导电栅极材料以形成晶体管。栅极氧化物用作介电层，因此栅极可以承受高达5mv/cm的横向电场，以强烈调制沟道的电导。

2、在栅极氧化物上方是一个薄电极层，由导体制成，导体可以是铝、高掺杂硅、钨等难熔金属、硅化物或这些层的夹层。该栅电极通常称为栅极金属或栅极导体。栅极氧化物的电气特性对于栅极下方导电沟道区域的形成至关重要。在nmos型器件中，栅极氧化物下方的区域是p型半导体衬底表面上的薄n型反型层。它是由施加的栅极电压vg的氧化物电场引起的，这被称为反转通道。它是允许电子从源极流向漏极的传导通道。对栅极氧化层施加过大的应力是mos器件的常见故障模式，可能会导致栅极破裂或应力引起的泄漏电流本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS，其特征在于，包括：埋P层和N-drift层；

2.根据权利要求1所述的一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS，其特征在于，还包括：HK介质层；

3.根据权利要求1所述的一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS，其特征在于，所述埋P层的厚度为0.4um。

4.根据权利要求2所述的一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS，其特征在于，所述HK介质层的介电常数为100-300。

5.根据权利要求1所述的一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMO...

【技术特征摘要】

1.一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sic umos，其特征在于，包括：埋p层和n-drift层；

2.根据权利要求1所述的一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sic umos，其特征在于，还包括：hk介质层；

3.根据权利要求1所述的一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sic umos，其特征在于，所述埋p层的厚度为0.4um。

4.根据权利要求2所述的一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sic umos，其特征在于，所述hk介质层的介电常数为100-300。

5.根据权利要求1所述的一种基于hk和埋p层保护沟槽栅氧层的sic umos，其特征在于，所述埋p层的掺杂浓度为1017cm-3。

6.根据权利要求1所述的一种基于hk和埋p层保护沟槽栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：