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本发明提供一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS及制备方法，该SiC UMOS包括：埋P层和N‑drift层；所述N‑drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N‑drift层的第二部分位于所述...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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